ET523XX

产品型号：ET523XX

制造商：etek(力芯微)

用途：低压LDO芯片

电压-电源：1.7V～5.5V

温度范围：-40°C to +85°C

封装：DFN4(1.0X1.0)/ SOT23-5

描述：265@2.8V，300mA Low IQ High PSRR Low Noise

说明书：点击下载

产品介绍

ET523XX 高电源抑制比、低噪声 300mA 低压差线性稳压器（LDO）

etek(力芯微)ET523XX 低压LDO芯片概述：

ET523XX 系列是内置自动放电功能的 300mA 低压差线性稳压器（LDO）。该系列采用先进 CMOS 工艺与 PMOSFET 功率传输管，具备高电源抑制比（PSRR）、低噪声、低压差、低静态地电流、快速启动以及出色的输出电压精度等特性。

ET523XX 系列搭配 1.0μF 陶瓷输出电容即可稳定工作；器件搭载高精度电压基准与反馈环路，稳压性能优异、瞬态响应速度快。

ET523XX 系列提供小型 SOT23-5、DFN4 两种封装，非常适合小型化便携设备使用。

产品特性

宽输入电压范围：1.7V～5.5V

最大输出负载电流：300mA

标准固定输出电压规格：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V 等

可定制输出电压区间：1.2V～3.3V，步进 0.05V

超低静态电流，典型值 50μA

低压差：输出 2.8V、负载 300mA 时，压差典型值 265mV

超高电源抑制比：1kHz 下可达 75dB

超低噪声：输出 2.8V 时噪声典型值 70μV 有效值

优异的负载 / 线性瞬态响应性能

内置自动放电功能

料号及封装规格说明

封装参数：

料号 (Part No.)	封装 (Package)	包装方式 (Packing Option)	MSL 等级
ET523XX	SOT23-5	编带卷带 (Tape and Reel)，3000 颗 / 卷	3
ET523XXYB	DFN4 (1mm × 1mm)	编带卷带 (Tape and Reel)，10000 颗 / 卷	1

应用领域：

智能手机、功能手机

数码相机

便携式仪器设备

ET523XX引脚配置图

ET523XX功能框图

功能说明

输入电容

建议在电源输入引脚 VIN 与地引脚 GND 之间外接 1μF 陶瓷电容，用于滤除供电侧的电压毛刺与噪声。输入电容容量可无上限增大；该电容需尽可能贴近芯片摆放，保障输入回路稳定、降低噪声。PCB 布线时，VIN 与 GND 引脚均需采用宽铜箔走线。

输出电容

为保证 LDO 稳定工作，必须配置输出电容。推荐输出电容容量≥0.47μF，计算有效容值时需综合考量电容直流偏置特性、容差及温度特性，电容材质选型为 X7R 或 X5R。

增大输出电容可优化负载瞬态、线性瞬态响应，减小电压过冲与下冲。输出电容需尽可能靠近 OUT 输出引脚与 GND 地引脚放置。

使能开关引脚工作逻辑

将 EN 引脚置高电平，ET523XX 芯片开启输出；拉低 EN 引脚，芯片关断输出。若无需开关控制功能，可将 EN 引脚直接短接至 IN 输入引脚，使稳压器持续上电工作。

极速启动特性

芯片使能后，仅需数十微秒即可满功率输出，典型启动时长 60μs。该特性可让后端负载电路快速切换待机 / 工作模式，有效延长手机及各类便携设备的电池续航。

限流保护功能

当 OUT 引脚输出电流超过限流阈值，或输出引脚对地短路时，限流保护电路启动，将输出电流钳位至约 500mA，避免过流引发芯片过热损坏。

过热关断保护

当芯片结温上升至约 155℃时，过热保护电路关断输出，芯片进入降温阶段；待结温回落至约 130℃后，输出通路重新导通。

受芯片功耗、封装热阻、环境温度影响，保护电路会周期性反复开关输出，以此限制芯片发热量，防止器件高温损毁。

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