欢迎光临深圳市微效电子有限公司官网!
咨询热线:
13423842368

金誉半导体


深圳市金誉半导体股份有限公司(htsemi)成立于2011年,是一家标准高、品质优、有自主研发能力的半导体产业供应商,致力于半导体产业的蓬勃发展,集芯片和应用解决方案的研发设计、封装测试和销售于一体,面向全球提供半导体产品与服务的国家级高新技术企业。并面向全球提供半导体产品&服务,提供DDR/eMMC/SSD/BGA/AGA/LGA,TOLL/TOLT/DFN/QFN/PDFN/TO/SOD/TSSOP/SOP/SOT等全系列封装产品等多个集成电路封装产品系列。金誉半导体是全球领先的功率半导体产品设计、研发与供应商,产品涵盖存储产品、Power MOSFET(功率MOSFET)、IGBT、IPM(智能功率模块)及功率IC等。公司凭借分立器件与集成电路工艺技术的深度融合、创新的产品设计能力以及先进的封装技术,为客户提供高性能的功率管理解决方案。广泛应用于汽车电子(如电驱系统、车载充电)、新能源(光伏逆变、储能系统)、工业控制(电机驱动、工业电源)、电源管理(快充、服务器电源)、家电与照明(智能家居、LED驱动)、安防与网络通信(5G基站、数据中心)、消费电子(智能手机、笔记本电脑)领域。

image.png

企业文化

企业文化是一个企业的灵魂,金誉用自己的实际行动证明,

为客户创造价值,与员工共同发展,推动行业进步,服务社会大众是我们始终如一的追求

发展历程

自2011年成立以来,金誉半导体在日新月异的科技发展中不断探索,稳中求进,在挑

战中不断成长,终于成为了推进半导体行业发展的有力一员

金誉半导体(htsemi)企业荣誉与认证:

广东知名品牌:2024年1月,金誉半导体荣获“广东知名品牌”称号,这是继“专精特新‘小巨人’企业”、“广东省制造业企业500强”、“最佳封测品牌奖”、“半导体国产卓越品牌”、“自主创新百强中小企业”、“科技创新奖”和“领航企业”之后的又一重要荣誉。

广东省制造业500强:金誉半导体连续入围广东省制造业500强,展示了其在制造业领域的领导地位和对广东经济高质量发展的贡献。

核心优势:

✔ 工艺与设计协同优化——提升能效与可靠性

✔ 先进封装技术——增强散热与功率密度

✔ 全场景应用覆盖——满足多样化市场需求

金誉半导体致力于推动功率电子技术的创新发展,助力全球客户实现更高效、更智能的能源管理。

深圳市微效电子有限公司作为金誉半导体(htsemi)有限公司一级代理商主要产品有:功率器件MOS管、沟槽型功率场效应管、平面功率MOSFET、超结功率场效应管、SGT型功率MOSFET)、分立器件(二极管、肖特基二极管、稳压二极管、开关二极管、晶体管、数字晶体管、ESD保护二极管碳化硅(肖特基二极管、碳化硅MOS管)、汽车电子开关二极管、肖特基二极管、晶体管、汽车MOSFET、稳压二极管、ESD集成电路DC-DC、复位芯片保护器件ESD、TSS、TV等等,存储产品系列: DDR/eMMC/SSD/BGA/LGA;提供一站式电子元器件采购、技术及服务支持,让客户享受到高性价比的电子元件,还能得到一定的产品附加值,大量现货,保证正品!应用领域:嵌入式、消费电子、工业与汽车、企业级数据中心及移动存储五大核心赛道,电话:13423842368 唐先生(微信同号)

关于金誉存储产品

金誉半导体,深植存储产业,布局未来核心。

我们在嵌入式、消费电子、工业与汽车、企业级数据中心及移动存储五大核心赛道持续深耕,并构建起先进的封装测试服务能力,形成完整产业闭环。

凭借行业级的解决方案实力与大规模交付经验,金誉以优质、可靠、创新的存储产品与服务,为全球客户提供坚实的数据基石,驱动数字化转型。

存储产品系列: DDR/eMMC/SSD/BGA/LGA, 深耕封装技术,赋能芯片未来

金誉半导体全面支持,核心亮点 - 先进工艺 · 成熟制程 · 全程品控

选择金誉,为您的产品保驾护航,提升品牌高度,展现技术实力与责任感

聚焦行业应用:嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储、移动存储、先进封测服务

金誉半导体产品分类:

功率器件:沟槽型功率场效应管、平面功率MOSFET、超结功率场效应管、SGT型功率MOSFET;

分立器件:稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、快速恢复二极管、数字晶体管、ESD保护二极管、双极型晶体管、晶体管、双路数字晶体管

碳化硅:肖特基二极管、碳化硅MOSFET

汽车电子:开关二极管、肖特基二极管、晶体管、汽车MOSFET、稳压二极管、ESD

集成电路:锂电池保护IC、三端稳压器、运放IC、充电管理芯片、LDO、比较器芯片、DC-DC、基准电压源、复位芯片

保护器件:ESD、TSS、TV


image.png

封装产品介绍:

image.png


沟槽型功率场效应管产品列表:


料号封装工艺 / 晶圆沟道类型静电保护漏源耐压 (V)栅源耐压 (V)典型开启电压 (V)连续电流 (A)10V 导通电阻 (mΩ)4.5V 导通电阻 (mΩ)2.5V 导通电阻 (mΩ)1.8V 导通电阻 (mΩ)
PTM12P16DFN2X2-6L7 英寸晶圆---------
BSS138WSOT323沟槽工艺N 沟道50±201.30.222500300000
BSS138SOT23沟槽工艺N 沟道50±201.20.342500300000
BSS138ASOT23沟槽工艺N 沟道50±201.20.342500300000
2N7002SOT23沟槽工艺N 沟道60±201.50.1153000400000
2N7002KSOT23沟槽工艺N 沟道60±201.50.33000400000
2N7002KDWSOT363沟槽工艺N 沟道60±201.50.33000400000
2N7002KWSOT323沟槽工艺N 沟道60±201.50.33000400000
2N7002KTSOT523沟槽工艺N 沟道60±201.50.33000400000
PT2308SOT23沟槽工艺N 沟道60±201.639010500
PTL6205SOT23-3L沟槽工艺N 沟道60±201.65354900
PTS6205SOP8沟槽工艺N 沟道60±201.85354900
PTS6208SOP8沟槽工艺N 沟道60±201.88303500
PTS4828SOP8沟槽工艺N 沟道60±201.84.5456500
PTS6012SOP8沟槽工艺N 沟道60±201.612202400
PTS6012DSOP8沟槽工艺N 沟道60±201.612202400
PTN6013PDFN5X6沟槽工艺N 沟道60±201.613374800
PTD20N06TO-252沟槽工艺N 沟道60±2022030000
PTP20N06TO-220沟槽工艺N 沟道60±2022030000
PTD30N06TO-252沟槽工艺N 沟道60±201.83025000
PTD50N06TO-252沟槽工艺N 沟道60±251.56017000
PTD60N06TO-252沟槽工艺N 沟道60±2536013000
PTD6060ATO-252沟槽工艺N 沟道60±2536511000
PTY60N06TO-263沟槽工艺N 沟道60±25310013000
PTP10HN06TO-220沟槽工艺N 沟道60±2531007000
PTD12HN06TO-252沟槽工艺N 沟道60±2531205.6000
PTY12HN06TO-263沟槽工艺N 沟道60±2531205.6000
PTD80N06TO-252沟槽工艺N 沟道60±253887.49000
PTP80N06TO-220沟槽工艺N 沟道60±253887.7000
PTY80N06TO-263沟槽工艺N 沟道60±253887.7000
PTD88N07TO-252沟槽工艺N 沟道65±253887.8000
PTP88N07TO-220沟槽工艺N 沟道65±253887.8000
PTY88N07TO-263沟槽工艺N 沟道65±253887.8000
PTY90N08TO-252沟槽工艺N 沟道80±253908000
PTY90N08TO-263沟槽工艺N 沟道80±253908000
PTY10HN08TO-220F沟槽工艺N 沟道80±2531007.8000
PTY10HN08TO-263沟槽工艺N 沟道80±2531007.8000
BSS123SOT23沟槽工艺N 沟道100±201.80.1760001000000
PTL03N10SOT23沟槽工艺N+P 对管100±201.82.616518000
PTL03N10ASOT23-3L沟槽工艺N+P 对管100±201.8313516900
PTG03N10SOT89沟槽工艺N+P 对管100±201.8313516900
PTG8N10SOT89沟槽工艺N+P 对管100±201.8811512600
PTD12N10TO-252沟槽工艺N+P 对管100±201.81214033000
PTD15N10TO-252沟槽工艺N+P 对管100±2021510011000
PTP15N10TO-220沟槽工艺N+P 对管100±2021510011000
PTD100N40TO-220沟槽工艺N+P 对管100±2034017000
PTF10HN10TO-220沟槽工艺N+P 对管100±2531008.8000
PTF10HN10TO-220F沟槽工艺N+P 对管100±2531008.8000
PTH150N04SOT223沟槽工艺N+P 对管150±2024160000
PTD150N07TO-252沟槽工艺N+P 对管150±201.87290000
PTL04C02SOT23-6L沟槽工艺N+P 对管20±120.653030400
PTL04C02SOT23-6L沟槽工艺N+P 对管-20±12-0.65-3075950
PTL04C02ASOT23-6L沟槽工艺N+P 对管20±120.6534245550
PTL04C02ASOT23-6L沟槽工艺N+P 对管-20±12-0.65-34143550
PTS4606BSOP8沟槽工艺N+P 对管20±120.653.2026320
PTS4606BSOP8沟槽工艺N+P 对管-20±12-0.65-3070900
PTM20C05DFN2X2-6L沟槽工艺N+P 对管20±120.74365000
PTM20C05DFN2X2-6L沟槽工艺N+P 对管-20±12-0.6-4455500
PTS4624SOP8沟槽工艺N+P 对管20±120.656018270
PTS4624SOP8沟槽工艺N+P 对管-20±12-0.65-5036480
PTL04C03SOT23-6L沟槽工艺N+P 对管30±1215.83536520
PTL04C03SOT23-6L沟槽工艺N+P 对管-30±12-1-4.2657500
PTL04C03HSOT23-6L沟槽工艺N+P 对管30±201.55.3353600
PTL04C03HSOT23-6L沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.5-4.2657500
PT4606ASOP8沟槽工艺N+P 对管30±201.65.8222500
PT4606ASOP8沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-6.5345600
PT4606SOP8沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-6.5467200
PT4606SOP8沟槽工艺N+P 对管30±201.65.8314300
PTS4616SOP8沟槽工艺N+P 对管30±201.67203000
PTS4616SOP8沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-6.5304000
PTQ15C03PDFN3333沟槽工艺N+P 对管30±201.615223100
PTQ15C03PDFN3333沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-11344600
PTQ25C03PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-25223300
PTQ25C03PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管30±201.625131800
PTN25C03PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-25223300
PTN25C03PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-30±20-1.6-25223300
PTS40C06SOP8沟槽工艺N+P 对管40±201.66223100
PTS40C06SOP8沟槽工艺N+P 对管-40±20-1.6-7364500
PTS4614SOP8沟槽工艺N+P 对管40±201.68203000
PTS40C06SOP8沟槽工艺N+P 对管-40±20-1.6-7364500
PTS4614SOP8沟槽工艺N+P 对管-40±20-1.6-7.5354500
PTQ40C12PDFN3333沟槽工艺N+P 对管40±201.612162200
PTQ40C12PDFN3333沟槽工艺N+P 对管-40±20-1.6-12334200
PTN40C30PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管40±201.630324200
PTN40C30PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-40±20-1.6-20324200
PTN05C06SOP8沟槽工艺N+P 对管60±201.66303800
PTN05C06SOP8沟槽工艺N+P 对管-60±20-1.6-5759500
PTN05C06PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-60±201.66759500
PTN05C06PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-60±20-1.62-5759500
PTN60C13PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-60±20-1.62-13456400
PTN60C13PDFN5X6沟槽工艺N+P 对管-60±20-1.6213374800


Copyright © 2026 深圳市微效电子有限公司 All Rights Reserved    专注于IC芯片代理、MCU芯片代理,主要产品:SPI NOR FLASH、NAND FLASH、SD NAND FLASH、eMMC、 mcu单片机、电源管理、音频功放IC、温湿度传感器等存储芯片,粤ICP备2025381541号-1sitemap.xml

扫描微信,掌握资讯