ET5H7XX - High Input Very-Low IQ 300mA LDO
ET5H7XX 系列为**高输入电压、极低静态电流、300 毫安输出的使能型 LDO 线性稳压器**,工作输入电压范围 3.0V‑15V。该产品专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。器件仅 3.0μA 的极低功耗可保障更长的电池续航;动态瞬态增强特性,可改善无线通信应用下的器件瞬态响应性能。ET5H7XX 系列提供 SOT89‑3、SOT23‑5、SOT23‑3、ESOP8 多种封装。
产品特性
宽输入电压范围:3.0V ~ 60V
● 最大负载电流:300mA
● 极低静态电流:3.0µA
● 固定输出电压:3.0V、3.3V、3.6V、5.0V、8.0V、12V 等
● 低压差:1350mV(条件:300mA 负载、输出电压 3.0V)
● 优异的负载 / 线性瞬态响应
● 高纹波抑制比:1kHz 条件下为 50dB
● 封装形式:SOT89‑3、SOT23‑5、SOT23‑3、ESOP8
| 表一:SOT89-3/SOT23-3/SOT23-5/SOT23-3 封装 |
| 型号 Part No. | SOT89-3ET5H7XXF | SOT23-3ET5H7XXS | SOT23-5ET5H7XX | SOT23-3ET5H7XXL | 输出电压 VOUT |
| ET5H730 | 30F | 30S | 30 | 30L | 3.0V |
| ET5H733 | 33F | 33S | 33 | 33L | 3.3V |
| ET5H736 | 36F | 36S | 36 | 36L | 3.6V |
| ET5H750 | 50F | 50S | 50 | 50L | 5.0V |
| ET5H780 | 80F | 80S | 80 | 80L | 8.0V |
| ET5H7120 | 120F | 120S | 120 | 120L | 12V |
| 表二:ESOP8 封装 |
| 型号 Part No. | ET5H7XXM | ET5H7XXM1 | ET5H7XXM2 | ET5H7XXM3 | 输出电压 Vout |
| ET5H730 | 30M | 30M1 | 30M2 | 30M3 | 3.0V |
| ET5H733 | 33M | 33M1 | 33M2 | 33M3 | 3.3V |
| ET5H736 | 36M | 36M1 | 36M2 | 36M3 | 3.6V |
| ET5H750 | 50M | 50M1 | 50M2 | 50M3 | 5.0V |
| ET5H780 | 80M | 80M1 | 80M2 | 80M3 | 8.0V |
| ET5H7120 | 120M | 120M1 | 120M2 | 120M3 | 12V |
## 输入电容
建议在**VIN 引脚与 GND 引脚之间接入 1μF~10μF 陶瓷电容**,用于滤除电源输入的尖峰干扰与噪声。输入电容容量可无上限增大。该输入电容必须尽可能靠近芯片摆放,以保证输入稳定性、降低噪声。PCB 布局时,VIN 与 GND 走线均需采用宽铜箔走线。
## 输出电容
为保障 LDO 稳定工作,必须配置输出电容。
推荐输出电容取值:1μF ~ 10μF;等效串联电阻 ESR 范围:5mΩ ~ 100mΩ;温度特性选用**X7R 或 X5R 材质**。
更大的电容容量有助于改善负载 / 线性瞬态响应;增大输出电容可抑制输出电压下冲与过冲。输出电容需尽可能靠近 OUT 引脚与 GND 引脚放置。
## 使能功能
ET5H7XX 处于使能状态时,芯片输出电压;当处于关闭状态,无输出,器件静态电流几乎为 0。使能引脚 EN 为**高电平有效**。
## 压差
ET5H7XX 采用 PMOS 功率管实现低压差特性。
当输入输出压差(VIN‑VOUT)小于压差电压 VDROP 时,PMOS 导通管工作在线性区,输入‑输出等效电阻等于 PMOS 管的导通电阻 RDS (ON)。
压差 VDROP 大致随输出电流成正比变化,因为压差模式下 PMOS 等效为电阻。
和所有线性稳压器一样,当 VIN‑VOUT 接近压差区间时,电源抑制比 (PSRR) 与瞬态响应性能会变差。
## 热关断保护
当芯片结温升高至约 155℃,热关断保护会关闭输出。芯片关闭后停止功耗,器件开始降温。
当结温冷却降至约 125℃,输出电路重新开启。
受功耗、热阻、环境温度影响,热保护电路会反复开启‑关断循环。该循环会限制芯片功耗,保护 LDO 不会因过热损坏。
热关断触发,通常代表(VIN‑VOUT)压差与负载电流乘积过大,器件功耗超标。为保证可靠工作,结温最大不要超过 150℃。
## 散热设计要点
连续工作时,不可超过结温绝对最大限值。
最大功耗取决于芯片封装热阻、PCB 布局、周边空气流通条件、结温与环境温度差值。
最大功耗计算公式:
>
> PD(MAX) = (TJ(MAX) − TA) / θJA
- TJ (MAX):最大结温
- TA:环境温度
- θJA:结到环境的热阻
在推荐工作条件下,最大结温为 125℃,TA 为环境温度;**结到环境热阻 θJA 受 PCB 布局影响很大**。
## 过流保护
ET5H7XX 内置限流保护,防止芯片在过载、输出短路条件下损坏,电流由内部检测晶体管采样。


