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产品中心
  • PGT10N015H
    PGT10N015H
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：100V
    • 温度范围：-55°C to175 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：TOLL 产品价格：具体面议
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  • PTM12P16
    PTM12P16
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：-15V
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：DFN2X2-6L 产品价格：具体面议
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  • PTN05C06
    PTN05C06
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：6A
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：PDFN5X6-8L 产品价格：具体面议
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  • PTS4614
    PTS4614
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：8A
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：SOP-8 产品价格：具体面议
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  • PTN25C03
    PTN25C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：25A
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：PDFN5X6-8L 产品价格：具体面议
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  • PTQ25C03
    PTQ25C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：25A
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：PDFN3333 产品价格：具体面议
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  • PTQ15C03
    PTQ15C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：15A
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：PDFN3333 产品价格：具体面议
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  • PT4606
    PT4606
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：30V
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：SOP-8 产品价格：具体面议
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  • PT4606A
    PT4606A
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：30V
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：SOP-8 产品价格：具体面议
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  • PTS4624
    PTS4624
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 漏源电压(Vdss)：20V
    • 温度范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 封装：SOP-8 产品价格：具体面议
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