ET533XX

ET533XX 高电源抑制比、低噪声 300mA 低压差线性稳压器

etek(力芯微)ET533XX 低压LDO芯片概述：

ET533XX 系列为带自动放电功能的 300mA 低压差线性稳压器。该芯片采用先进 CMOS 工艺搭配 PMOSFET 功率传输管，具备高电源抑制比（PSRR）、低噪声、低压差、低接地电流、快速启动以及出色的输出电压精度等特性。

ET533XX 搭配 1.0μF 陶瓷输出电容即可稳定工作；芯片内置精密电压基准与反馈环路，稳压性能与瞬态响应表现优异。

ET533XX 提供小型 SOT23-5、SC70-5、DFN4 多种封装，非常适合小型化便携设备使用。

产品特性

输入电压宽范围：2.0V～6.0V

最大负载输出电流 300mA

标准固定输出电压档位：1.2V、1.35V、1.5V、1.7V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V 等

支持定制电压（可按需提供 1.2V~5.0V 区间内、50mV 步进的非标电压规格）

极低静态电流，典型值 42μA

低压差典型值 240mV（输出 2.8V、负载 300mA 工况下）

极低输出噪声，输出 1.2V 时噪声典型值 45μVrms

超快启动时间，典型值 25μs

优异的负载 / 线性瞬态响应性能

型号与封装规格

应用领域： 

智能手机与功能手机

数码相机

便携式仪器仪表

输入电容设计

建议在输入引脚 VIN 与地引脚 GND 之间接入 1μF 陶瓷电容，用于滤除输入电源的脉冲干扰与噪声；容值可无上限加大。该输入电容需尽可能贴近芯片引脚摆放，保障输入电源稳定、降低噪声干扰。PCB 布线时，VIN 与 GND 均需采用宽铜箔走线。

输出电容

LDO 稳定工作必须搭配输出电容。推荐输出电容规格：容值 0.47μF~4.7μF，等效串联电阻 ESR 5mΩ~100mΩ，温特性等级 X7R 或 X5R。

选用更大容值电容可优化负载瞬态、线性瞬态响应；提升输出电容容量能够抑制电压下冲、过冲幅度。输出电容布线需尽可能靠近 VOUT 输出引脚与 GND 地引脚。

使能开关控制逻辑

ET533XX 芯片 EN 引脚置高电平时芯片开启；拉低电平时芯片关断。若无需开关控制功能，可将 EN 引脚直接短接至 VIN 输入引脚，使稳压器持续输出电压。

高电源抑制比、低噪声特性

低噪声放大器 LNA、上下变频电路、混频器、锁相环 PLL、压控振荡器 VCO、中频电路等射频模块，对供电 LDO 有低噪声、高电源抑制比要求；温补晶振电路在射频功放脉冲工作频段，需要极高的 PSRR 性能。例如 GSM 手机要求在 217Hz 下 PSRR 至少达到 65dB。

手机免提、游戏、Hi-Fi、多媒体音频电路为保证音质，需要在 20Hz~20kHz 音频区间实现低噪声、高电源抑制。ET533XX 在 100Hz 下 PSRR 可达 75dB，可满足绝大多数对噪声、纹波抑制有高要求的应用场景。

超快启动特性

芯片使能后，仅需数十微秒即可满负载稳定输出。该特性可让后端负载电路快速切换待机 / 工作模式，延长手机及各类便携设备的电池续航。

快速瞬态响应

具备快速瞬态响应能力的 LDO 有助于降低整机功耗、延长电池寿命。面对负载突变时，芯片需极速响应，避免输出电压大幅跌落或冲高。

ET533XX 可支持 0~300mA 快速跳变负载，全程维持供电电压稳定。

低静态电流

全输入电压、全输出负载工况下，ET533XX 静态电流仅约 42μA，大幅降低便携、低功耗设备的耗电。

过流保护

当 VOUT 输出电流超过限流阈值时，过流保护电路触发，将输出电流钳位至约 500mA，避免大电流造成芯片过热、永久损坏。

过热关断保护

芯片结温升至约 155℃时，过热保护关断输出，芯片自然降温；待结温回落至约 130℃后，输出自动恢复。

根据芯片功耗、热阻与环境温度不同，过热保护可能会反复启停输出，以此限制芯片发热量，防止器件因持续高温烧毁。