ET531XXYB

ET531XXYB 射频与模拟电路的300mA超低噪声低压差线性稳压器

etek(力芯微)ET531XXYB 低压LDO芯片概述：

ET531XXYB 系列低功耗低压差线性稳压器（LDO）具备极高电源抑制比（PSRR），同时静态地电流仅 15μA，非常适合射频类应用。

该系列采用先进 CMOS 工艺搭配 PMOSFET 传输功率管，拥有启动速度快、噪声极低、瞬态响应与电源抑制比性能优异的特点。

ET531XXYB 搭配 1.0μF 陶瓷输出电容即可稳定工作；芯片内置高精度基准电压源与反馈环路，在全负载、全输入电压、全工艺偏差及全温度范围内，输出电压最大精度误差仅 2%。

器件采用小巧的 DFN4 封装，适合手机、掌上数字助理（PDA）等小型化便携设备。

产品特性

宽输入电压范围：1.9V ~ 5.5V

固定输出电压范围：1.2V~4.5V（包含 1.2V/1.5V/1.8V/2.2V/2.5V/2.8V/3.0V/3.1V/3.3V 等型号）

可按需定制其他输出电压规格

最大负载电流：300mA

极低静态电流 IQ：典型值 15μA

低压差：输出 1.8V 工况下，典型压差 180mV

超高电源抑制比：1kHz 频率下可达 80dB

超低输出噪声：输出 1.8V、负载 1mA 时，噪声有效值 10μV

优异的负载瞬态与线性瞬态响应性能

线性调整率：典型值 0.02%/V

内置输出自动放电功能

ET531XXYB MSL DFN4 (1×1)

应用领域： 

智能手机、功能手机

掌上数码助理（PDA）

数码相机

便携式仪器仪表

功能说明

输入电容

建议在输入引脚 IN 与地引脚 GND 之间接入 1μF 陶瓷电容，用于滤除输入电源的毛刺与噪声。输入电容容量可无上限加大。

该输入电容需尽可能紧贴芯片摆放，保障输入回路稳定、降低噪声。PCB 布线时，IN 与 GND 均需采用宽铜箔走线。

想要获得优异的负载瞬态性能，输入电容容量应大于或等于输出电容。

输出电容

为保证 LDO 稳定工作，必须搭配输出电容。推荐输出电容容量 1μF~10μF，等效串联电阻 ESR 范围 5mΩ~100mΩ，电容温漂等级选用 X7R 或 X5R。

更大容量电容可优化负载 / 线性瞬态响应，减小电压过冲与下冲。输出电容应尽量贴近 OUT 输出引脚与 GND 引脚。

在布线合理的前提下，单颗 1μF 陶瓷输出电容最远可放置在距离 ET531XXYB 芯片 10 厘米处。

使能开关控制逻辑

ET531XXYB 的 EN 使能引脚内部通过 1MΩ 电阻下拉至地。

将 EN 引脚电压拉高至高于高电平阈值 VIH，芯片开启；拉低至低于低电平阈值 VIL，芯片关断。

若无需开关控制功能，可将 EN 引脚直接短接至 IN 输入引脚，让稳压芯片持续输出。

高电源抑制比、低噪声特性

ET531XXYB 在 1kHz 下电源抑制比可达 80dB，适用于绝大多数对电源抑制、低噪声有高要求的应用场景。

输出自动放电功能

当 EN 引脚为低电平、芯片关断时，器件内部等效 50Ω（典型值）下拉电阻会对输出端快速放电。

输出电容远距离放置特性

ET531XXYB 要求 OUT 引脚至少搭配一颗 1μF 电容，该电容与输出引脚之间无严格距离限制；实际整机设计中，输出电容最远可布置在距离 LDO 芯片 10cm 位置。

快速瞬态响应

芯片可在 0~300mA 负载跳变时实现快速瞬态响应，能够为 DSP、GSM 基带芯片这类负载快速变化的器件提供稳定供电。

低静态电流

ET531XXYB 典型静态电流仅 15μA，可大幅降低便携、低功耗设备的功耗，延长续航。

最小工作输入电压 VIN

ET531XXYB 未集成独立欠压锁定（UVLO）电路。

只有当输入电压 VIN≥1.9V 时，芯片内部电路才能完整正常工作；

只有当 VIN 同时满足≥1.9V 且 ≥（输出电压 VOUT + 压差 VDROP）时，输出才能进入稳压状态。

限流保护

当 OUT 引脚输出电流超过限流阈值，或输出对地短路时，限流保护启动，将输出电流钳位至约 500mA，避免过流引发芯片过热损坏。

过热过载保护

当芯片结温升至约 155℃时，热关断保护关闭输出，器件停止发热降温；待结温回落至约 140℃，输出电路重新开启。

受芯片功耗、封装热阻、环境温度影响，热保护会周期性反复通断。该循环机制限制芯片发热功率，防止器件因过热永久损坏。

ET531XXYB 热关断电路仅用于应对短时过热过载故障，不能替代合理的散热设计。芯片长期反复触发热关断，会降低器件整体可靠性。