ET519XX

ET519XX — 无输出电容型、300 毫安、低压差线性稳压器

etek(力芯微)ET519XX 低压LDO芯片概述：

ET519XX 系列低压差线性稳压器（LDO）属于超小型、低静态电流稳压芯片，输出电流可达 300 毫安，具备优异的线性瞬态与负载瞬态响应特性，典型输出精度为 1%。

ET519XX 系列采用新一代无电容架构，无需输入电容或输出电容即可稳定工作。省去输出电容不仅能大幅缩小整体方案体积，还可消除芯片上电瞬间的冲击电流。若应用场景需要外接输出陶瓷电容，该系列芯片同样能够稳定运行。当搭配输出电容使用时，ET519XX 在上电及使能阶段具备折返限流保护功能，该特性在电池供电类设备中尤为关键。

ET519XX 内置有源下拉电路，芯片关断时可快速泄放输出端负载残余电压。

该系列芯片采用小巧的 SOT23-5 封装，适配各类终端设备。

ET519XX 提供多款标准固定输出电压型号，包括 1.2V（ET51912）、1.8V（ET51918）、3.0V（ET51930）等。

产品特性

宽输入电压范围：1.4V ~ 5.5V

最大负载电流：300mA

固定输出电压可选范围：1.2V ~ 3.3V

极低静态电流，典型值 60μA

低压差特性：3.0V 输出、300mA 负载下压差典型值 120mV

高电源抑制比：100Hz 下可达 60dB

内置自动放电功能

封装参数:ET519XXTB SOT23-5 (2.9mm×1.6mm) Level 3

应用领域： 

平板电脑、智能手机

笔记本电脑、台式计算机

便携式工业设备与消费类电子产品

无线局域网网卡及其他电脑扩展卡

摄像模组

功能说明

欠压锁定保护（UVLO）

ET519XX 内置欠压锁定（UVLO）电路，只有当输入电压高于 UVLO 上升阈值电压 UVLO RISE 时，芯片才会开启输出。该电路可保证当供电电压低于芯片内部电路正常工作区间时，器件不会出现不可控异常工况。

UVLO 关断阶段，输出端通过 120Ω 下拉电阻接地。

关断与输出使能

使能引脚 EN 为高电平有效。将 EN 引脚电压拉高至超过使能高阈值 VEN (HI)，芯片正常工作；将 EN 引脚电压拉低至低于使能低阈值 VEN (LO)，芯片关断。

若无需关断功能，可将 EN 引脚直接短接至输入电压引脚 IN。

EN 引脚内部无内置下拉电阻。

内置折返限流保护

ET519XX 集成折返限流电路，用于故障工况下保护稳压芯片。输出电压越低，芯片允许输出的电流越小；当输出短路时，LDO 典型输出电流仅 150mA。

芯片进入限流状态后，输出电压不再稳压，此时输出电压等于限流电流乘以负载电阻。

输出短路时，内部 PMOS 功率管持续耗散功率（功耗 =(输入电压−输出电压)× 输出电流 IOS），直至触发热关断保护，芯片停止工作；待芯片温度下降后，热关断电路会自动重新开启芯片。若短路故障持续存在，芯片将在限流模式与热关断之间反复启停，详细参数参考热特性参数表。

上电阶段，折返限流电路会将芯片最大输出电流限制在额定输出限流 ILIM之下。典型折返限流曲线参见图 18~ 图 20。

若上电时输出接恒流负载，或芯片使能瞬间输出出现负压，负载所需电流可能超过上电折返限流值，导致输出电压无法上升至额定值。针对恒流负载应用，建议待 ET519XX 输出完全建立至标准电压后，再接通后端负载。

ET519XX 内部 PMOS 传输管自带体二极管，当 OUT 引脚电压高于 IN 引脚时，体二极管会导通。禁止强制让输出电压高于输入电压，否则体二极管会流过超大电流，造成器件损坏。

热关断保护

当芯片结温上升至约 165℃时，热关断保护动作，关闭输出通路。芯片关断后功耗消失，器件开始降温；待结温降至约 140℃，输出电路重新开启。

实际工况下，受功耗、热阻、环境温度影响，热保护会周期性通断，以此限制芯片功耗，防止过热损毁。

热关断被触发通常代表芯片功耗超标，功耗由压差 (VIN−VOUT) 与负载电流共同决定。为保证长期稳定工作，芯片最大结温需控制在 125℃以内。

整机设计验证安全余量时，可在极限负载、极限输入条件下逐步升高环境温度，直至热保护触发。

ET519XX 内置保护电路仅用于应对过载故障，不允许正常工作时频繁触发；芯片长期反复进入热关断会大幅降低器件使用寿命与可靠性。