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ET515XXYB

ET515XXYB
产品型号:ET515XXYB
制造商:etek(力芯微)
用途:低压LDO芯片
电压-电源:1.9V to 6.0V
温度范围:-40°C to +85°C
封装:DFN4(1mm x 1mm)
描述:250@2.8V;300mA Low IQ High PSRR Low Noise;
说明书:点击下载
产品介绍

ET515XXYB - 用于射频的极高PSRR、低噪声、300mA LDO

etek(力芯微)ET515XXYB 低压LDO芯片概述:

ET515XXYB系列低dropout(LDO)低功耗线性稳压器,不仅提供极高的电源抑制比(PSRR),还能保持极低的42μA接地电流,非常适合射频应用。该系列采用先进的CMOS工艺和PMOSFET传输器件,实现了快速启动、极低噪声、出色的瞬态响应和卓越的PSRR性能。ET515XXYB在使用1.0μF陶瓷输出电容时表现出色,通过精密电压参考和反馈回路,确保了在所有负载、线路、工艺和温度变化下,最坏情况下的精度达到2%。该产品从TJ=-40°C到+150°C的温度范围内完全适用,并且采用小型DFN4封装,非常适合用于小型便携式设备,如无线手机和PDA。 

ET515XXYB提供标准固定输出电压,包括1.05V(ET515105YB),1.1V(ET51511YB),1.2V(ET51512YB),1.3V(ET51513YB),1.5V(ET51515YB),1.6V(ET51516YB),1.7V(ET51517YB),1.8V(ET51518YB),2.2V(ET51522YB),2.5V(ET51525YB),2.7V(ET51527YB),2.8V(ET51528YB),2.9V(ET51529YB),3.0V(ET51530YB),3.3V(ET51533YB),3.45V(ET515345YB),并可提供定制电压选项(可根据要求在0.8V和5.0V之间提供50mV步进选项)。 

特性 

输入电压范围:1.9V to 6.0V 

400mA负载电流能力 

固定输出电压选项:1.05V,1.1V,1.2V,1.3V,1.5V,1.6V,1.8V,2.5V,2.7V,2.8V,3.0V和3.3V等。  

极低的IQ静态功耗:42µA 

低压差:250mV(典型值)@300mA负载,2.8V输出 

极高的PSRR:75dB @ 1KHz 

超低噪声:在1.2V输出时为45uVrms 

启动时间:25µs 

出色的负载/电源瞬态响应 

线规:0.03%,典型值 

封装:DFN4(1mm x 1mm)

应用领域: 

智能手机和移动电话 

掌上电脑 

MP3、MP4播放器 

数码相机 

便携式仪器 

Part No. Marking VOUT Auto Discharge Function
ET515105YB VX 1.05V Y
ET51511YB IX 1.1V Y
ET51512YB AX 1.2V Y
ET51513YB LX 1.3V Y
ET51515YB BX 1.5V Y
ET51516YB NX 1.6V Y
ET51517YB KX 1.7V Y
ET51518YB CX 1.8V Y
ET51522YB QX 2.2V Y
ET51525YB FX 2.5V Y
ET51527YB PX 2.7V Y
ET51528YB DX 2.8V Y
ET51529YB SX 2.9V Y
ET51530YB GX 3.0V Y
ET51533YB EX 3.3V Y
ET515345YB YX 3.45V Y

管脚排列

ET515XXYB典型应用电路

ET515XXYB极限参数值

ET515XXYB功能框图

功能描述 

输入电容 

建议在VIN和GND引脚之间连接一个1μF的陶瓷电容,以减少输入电源的毛刺和噪声。电容值可以无限增加。为了确保输入稳定性和减少噪声,该输入电容应尽可能靠近设备安装。在PCB布局中,VIN和GND需要使用较宽的走线。 

输出电容 

为了确保低压差稳压器(LDO)的稳定性,需要一个输出电容。推荐的输出电容值范围为0.47μF至4.7μF,等效串联电阻(ESR)应在5mΩ至100mΩ之间,温度特性应为X7R或X5R。较高的电容值有助于改善负载和线路的瞬态响应。为了减少跌落和过冲,可以适当增加输出电容。建议将输出电容尽可能靠近OUT和GND引脚放置。 

输出电容 

通过将EN引脚设置为高电平来打开ET515XXYB,通过将其拉低来关闭ET515XXYB。如果不使用此功能,应将EN引脚与IN引脚相连,以使调节器输出始终处于打开状态。 

高PSRR和低噪声 

射频电路,如低噪声放大器(LNA)、上变频/下变频转换器、混频器、锁相环(PLL)、压控振荡器(VCO)和中频级,需要低噪声且具有高PSRR的低压差稳压器(LDO)。温度补偿晶体振荡器电路在射频功率放大器的突发频率下需要非常高的PSRR。例如,GSM手机推荐在217Hz时至少达到65dB的PSRR。ET515XXYB在1KHz时的PSRR为75dB,适用于大多数需要高PSRR和低噪声的应用。

快速启动 

启用后,ET515XXYB可以在几十微秒内提供全部功率,通常为25μs。此功能将帮助负载电路实时进入和退出待机模式,最终延长移动电话和其他便携式设备的电池寿命。 

快速瞬态响应 

快速瞬态响应LDO还能延长电池寿命。为了满足这一负载要求,LDO必须快速反应,同时不产生大的电压降或超调——这是传统通用型LDO无法满足的要求。 

ET515XXYB的快速瞬态响应从1到300mA为快速变化负载的快速DSP和GSM芯片组提供稳定的电压供应。 

低静态电流 

ET515XX在所有输入范围和输出负载下仅消耗约40μA,为便携式和低功耗应用提供了极大的节能效果。 

限流保护 

当OUT引脚的输出电流高于限流阈值或OUT引脚短路到地时,将触发限流保护,并将输出电流箝位到约500mA,以防止过流并保护LDO因过热而损坏。 

过温保护 

当结温升至约+155°C 时,过温保护会关闭LDO输出,使设备得以冷却。当结温降至约+130°C 时,输出电路将重新启用。根据功率损耗、热阻和环境温度的不同,热保护电路可能会反复开启和关闭。这种循环模式限制了LDO的散热,防止因过热而损坏。 


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