ET8290B

ET8290B 输入电压最高 5.5V、输出电流 9A 同步升压转换器，集成输出断开功能

etek(力芯微)ET8290B 升压DC/DC芯片概述：

ET8290B 是一款高效率、电流模控制的同步升压转换器，自带输出端切断功能。

ET8290B 最低可在 1.9V 输入电压下启动工作，芯片内置浪涌电流限制电路与输出短路保护电路。器件集成 P 沟道同步整流管，有效提升转换效率，无需外接肖特基二极管；芯片关断状态下，该 P 沟道管会将输出端与输入端彻底断开。

芯片开关频率为 1.0MHz，可选用体积小巧的外围元器件；搭配内部环路补偿以及软启动电路，最大限度精简外围器件数量。当供电电压低至 2.8V 时，ET8290B 依然可以稳定输出 5V 电压、最大 3.1A 负载电流，是小尺寸供电方案的理想选择。

ET8290B 采用 QFN14 封装。

产品特性

转换效率最高可达 98%

● 输入电压范围：1.9V ~ 5.5V

● 输出电压可调区间：2.5V ~ 5.5V

● 内置同步整流管

● 固定开关频率：1.0MHz

● 开关管限流典型值：9A

● 静态工作电流：43μA

● 全负载区间均可保持高效率运行

● 内置软启动电路与环路补偿电路

● 真正意义上输入、输出负载完全切断隔离

● 集成多重保护：过流保护 (OCP)、短路保护 (SCP)、过压保护 (OVP)、过热保护 (OTP)

● 料号及封装规格

器件型号及封装规格

ET8290B  QFN14 (2mm×2mm) MSL 1

产品型号列表：

应用场景

移动电源、便携充电宝、后备应急储能电源

USB 供电电源模块

消费电子周边配件

概述ET8290B 是一款开关频率 1MHz、具备真正输出切断功能的同步升压转换器。芯片采用固定频率电流模 PWM 控制架构，拥有优异的线性稳压与负载稳压性能。内置软启动电路与环路补偿电路，大幅简化硬件设计，减少外围元器件数量。

芯片内部 MOSFET 导通内阻极低，搭配扩频降功耗运行机制，可在宽泛负载电流区间内持续维持高转换效率。启动流程使能引脚拉高、输入引脚电压超过输入欠压锁定释放阈值（VUVLO_IN-R）后，ET8290B 进入线性预充电阶段。该阶段内 P 沟道同步整流管持续导通，直至输出电容电压被充至等于输入电压。

当输出电压低于 0.4V 时，P 沟道管电流被限制在 0.2A，以此抑制上电浪涌电流；随着输出电压逐步抬升，限流阈值同步增大。该电路同时可在输出短路场景下限制输出电流。

当输出电压充电至输入电压值，线性预充电阶段结束，芯片进入闭环 PWM 正常开关升压工作模式。正常工作条件：当输出电压高于输入电压 + 0.1V 时，芯片工作于升压模式，峰值开关电流典型限值 9A。

一旦输出电压超过输入电压，芯片内部供电回路将切换为由输出电压（VOUT）供电，不再取用输入电源（VIN）。软启动ET8290B 通过恒流源对内部电容充电实现软启动功能。在线性预充电期间，软启动电压跟随反馈引脚电压同步平缓上升。

线性预充电结束后，内部电容完成充电；若收到关断指令、触发过热关断或输出短路保护时，软启动电容会被彻底放电复位。芯片使能控制使能引脚（EN）置高，芯片开启工作；置低则进入关断休眠模式。

关断模式下，开关动作停止，所有内部控制电路断电，输出负载与输入端完全隔离。省电模式（PSM）负载电流降低时，芯片自动切入省电模式；负载回升后，切回标准 PWM 调制模式。

进入省电模式后，芯片会降低开关频率，削减开关损耗与驱动损耗；负载持续减小则进一步跳转到跳脉冲工作模式，最大限度降低空载功耗。直通模式（Pass-Through Mode）当输入电压＞设定输出电压时，芯片开启直通模式：

升压主回路停止开关动作，整流 P 沟道管永久导通、下管开关管彻底关断。此时输出电压≈输入电压，压降仅来自电感直流内阻（DCR）与 P 沟道管导通压降。

当输入电压回落至低于输出电压后，芯片退出直通模式，重新切换为升压模式。模式关键差异说明升压模式（输入电压＜设定输出电压）：芯片持续开关升压，内置反向电流阻断功能，可防止高于设定值的外部电压倒灌至输入端；

直通模式：无反向防倒灌能力，电压可双向流通。误差放大器（EA）误差放大器内置环路补偿电路，将内部 0.807V 基准电压与反馈引脚（FB）采样电压对比，生成误差调节信号，以此稳定输出。

输出电压依靠外部分压电阻网络可调，调节范围 2.5V~5.5V，计算公式：

\(V_{OUT}=0.807V\times(1+\frac{R1}{R2})\)

建议下拉电阻 R2 取值≤51kΩ，保障环路稳定性与负载瞬态响应性能。输出彻底切断机制ET8290B 通过屏蔽内部 P 沟道整流管寄生体二极管导通路径，实现真正意义上的输入输出完全隔离。

芯片关断时，输出端电压可降至 0V；也可保持输出端外接偏置电压、不被输入端拉偏；同时上电阶段可精准限制浪涌电流，减小前端供电电源冲击。

如需完整发挥输出切断特性，禁止在开关引脚与输出端之间外接肖特基二极管。过载与短路保护出现过载、输出短路故障时，输出电压跌落；若输出电压低于输入电压，芯片切回线性预充电模式。

一旦输出电压跌至标称输出电压的 70% 以下，芯片立即关闭输出；经过约 40μs 延时后自动重启，完成新一轮上电流程循环重试。过压保护（OVP）当输出电压＞5.8V，升压开关动作立即停止，避免过压击穿内部功率 MOS 管；

输出电压回落至 5.7V 以下时，芯片自动恢复开关工作。过热关断保护（OTP）芯片内置裸片温度检测电路：

芯片内核温度超过 150℃，所有功率开关管关闭；

温度下降至 130℃以下，自动恢复正常升压工作。