ET5A8XXYB 1A 超低噪声、高电源抑制比低压差线性稳压器,适用于射频与模拟电路
etek(力芯微)ET5A8XXYB 低压LDO芯片概述:
ET5A8XXYB 系列低功耗低压差线性稳压器采用 PMOS 功率传输管,最大输出电流可达 1000 毫安。
该器件具备低噪声、高电源抑制比、超低静态电流特性,同时拥有优异的线性瞬态与负载瞬态响应性能,适用于射频设备及模拟电路场景。
ET5A8XXYB 搭配 1 微法陶瓷输入电容与 1 微法陶瓷输出电容即可稳定工作;芯片内置精密电压基准与反馈环路,输出电压精度可达 ±1.5%。
产品采用小型 DFN6 封装(尺寸 2.0 毫米 ×2.0 毫米),非常适合无线手机、掌上数码设备等小型化便携电子产品。
产品特性
宽输入电压范围:1.9V~5.5V
输出电压:1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V 等多档位可选
最大输出电流:1A
典型静态电流 (IQ) 仅 25 微安
典型关断电流:0.1 微安
3.0V 输出、1A 负载下,典型压差仅 280 毫伏
超低噪声:输出 3V、负载电流 200mA 时,典型噪声 10 微伏有效值
高电源抑制比 (PSRR):输出 3V 条件下,1kHz 频段 90 分贝,1MHz 频段 42 分贝
优异的线性瞬态、负载瞬态响应特性
内置限流保护与过热关断电路
自带自动放电功能
料号及封装规格信息
封装参数:ET5A8XXYB MSL DFN6 (2.0mm × 2.0mm) Tape and Reel, 3K/Reel
应用领域:
智能手机与功能手机
掌上智能终端(PDA)
数码相机
便携式仪器设备


输入电容(接地端)
建议在输入引脚(IN)与接地引脚(GND)之间接入 1μF 陶瓷电容,用于滤除输入电源的脉冲干扰与噪声。该电容容值可无上限增大。
输入电容需尽可能贴近芯片摆放,保证输入电压稳定、降低噪声。PCB 布线时,IN 引脚与 GND 引脚均需采用宽铜箔走线。若要获得优良的负载瞬态响应性能,输入电容容值应不小于输出电容。
输出电容
LDO 稳定工作必须搭配输出电容。推荐输出电容容值范围 1μF~10μF,等效串联电阻(ESR)5mΩ~100mΩ,温度特性等级为 X7R 或 X5R。
更大容值的电容可优化负载 / 线性瞬态响应,降低输出电压下冲、过冲幅度。输出电容尽量靠近 OUT 引脚与 GND 引脚。
若 PCB 布局合理,仅用一颗 1μF 陶瓷输出电容时,其摆放位置与 ET5A8XXYB 芯片的距离最远可达 10 厘米。
输出电容远距离布设说明
ET5A8XXYB 芯片要求 OUT 引脚处至少放置一颗 1μF 电容,对该电容与 OUT 引脚的间距无严苛限制。实际电路设计中,输出电容最远可布设在距离 LDO 芯片 10 厘米处。
低静态电流特性
ET5A8XXYB 典型静态电流仅 25μA,可大幅降低便携设备、低功耗设备的功耗,实现省电效果。
使能开关引脚控制逻辑
将 EN 引脚电压拉高至高于高电平阈值 VIH,芯片开启工作;将 EN 引脚拉低至低于低电平阈值 VIL,芯片关断。
若无需开关控制功能,可将 EN 引脚直接短接至 IN 引脚,使稳压器持续输出电压。
软启动阶段,为让输出电压快速上升至设定值,芯片会将滤波电阻短路约 0.5ms。
因此有两种布线 / 上电要求二选一:
芯片使能后的 0.5ms 内,输入电压 VIN 必须高于输出设定电压 VOUT;
或在给出使能信号前,输入电压已完全建立稳定。