ET538XXZB

ET538XXZB 适用于射频与模拟电路的 400mA 超低噪声、高电源抑制比低压差线性稳压器（LDO）

etek(力芯微)ET538XXZB 低压LDO芯片概述：

ET538XXZB 属于低压差低功耗线性稳压器（LDO），采用 PMOS 传输功率管，最大输出电流可达 400 毫安。该器件具备低噪声、高电源抑制比、低静态电流特性，线性与负载瞬态响应性能优异，适用于射频设备及模拟电路。

ET538XXZB 搭配 1μF 输入陶瓷电容与 1μF 输出陶瓷电容即可稳定工作；芯片内置精密电压基准与反馈环路，输出电压精度可达 ±1.5%。

器件采用微型 WLCSP4 封装（尺寸 0.635mm×0.635mm），非常适合无线手机、掌上数字助理（PDA）等小型化便携设备。

产品特性

宽输入电压范围：2.2V～5.5V

输出电压范围：1.2V～4.3V

输出电压精度：±1.5%

最大输出电流：400mA

超低静态电流，典型值 20 微安

关断电流典型值 0.1 微安

低压差：输出 2.8V、负载 400mA 工况下典型压差 180 毫伏

超低输出噪声：负载 200mA 时典型值 8 微伏有效值

超高电源抑制比：负载 30mA 条件下，1kHz 时 100dB，1MHz 时 45dB

优异的线性 / 负载瞬态响应性能

内置限流保护与过热关断电路

内置自动放电功能

封装参数：ET538XXZB   WLCSP4(0.635mm×0.635mm)  Level 1

应用领域：

智能手机与移动功能手机

掌上数字助理（PDA）

MP3/MP4 播放器

数码相机

便携式仪器设备

输入电容（接地）

建议在输入引脚 IN 与地引脚 GND 之间外接 1μF 陶瓷电容，用于滤除输入电源的毛刺干扰与噪声。输入电容的容值可无上限增大。该输入电容必须尽可能贴近芯片摆放，以此保障输入电压稳定、降低噪声。PCB 布线时，IN 与 GND 走线均需采用宽铜箔。为获得优良的负载瞬态性能，输入电容容值至少应等于或大于输出电容容值。

输出电容

若要保证 LDO 稳定工作，必须搭配输出电容。推荐输出电容容值范围 1μF~10μF，等效串联电阻（ESR）区间 5mΩ~100mΩ，温度特性等级选用 X7R 或 X5R。更大容值的电容可优化负载 / 线性瞬态响应，增大输出电容能够抑制输出电压下冲与过冲。输出电容需尽可能靠近 OUT 输出引脚与 GND 地引脚放置。在 PCB 布线合理的前提下，单颗 1μF 陶瓷输出电容最远可放置在距离 ET538XXZB 芯片 10 厘米处。

输出电容远距离布设说明

ET538XXZB 要求 OUT 引脚旁至少放置一颗 1μF 电容，但对该电容与 OUT 引脚的间距无严苛限制。实际项目设计中，输出电容最远可布置在距离 LDO 芯片 10 厘米的位置。

使能开关引脚工作逻辑

将 EN 引脚电压拉高至高于高电平阈值 VIH 时，ET538XXZB 开启工作；将 EN 引脚拉低至低于低电平阈值 VIL 时，芯片关断。若无需使用使能功能，需将 EN 引脚直接短接至 IN 输入引脚，使稳压器持续输出电压。

低静态电流

ET538XXZB 静态电流仅 20μA，能够大幅降低功耗，适配各类便携、低功耗设备。

高电源抑制比、低噪声

该芯片在负载 30mA、1kHz 频率下电源抑制比可达 100dB，适合绝大多数对电源抑制比、噪声指标有高要求的应用场景。

快速瞬态响应

ET538XXZB 可承受 0~400mA 快速跳变负载，瞬态响应速度优异，能为负载快速波动的数字信号处理器（DSP）、GSM 基带芯片组提供稳定供电。

压差说明

压差一般指输入电压与输出电压的差值。当输入电压 VIN 低于 2.2V 时，ET538XXZB 内部电路无法完整工作；只有当输入电压 VIN 同时满足≥2.2V，且≥输出电压 VOUT + 压差 VDROP 两个条件时，输出电压才能正常稳压。

限流保护

当 OUT 引脚输出电流超过限流阈值，或 OUT 引脚对地短路时，限流保护电路触发，将输出电流钳位至约 650mA，防止过流导致芯片过热损毁。

输出自动放电功能

当 EN 引脚为低电平、芯片关断时，ET538XXZB 内部等效 350Ω（典型值）下拉电阻会导通，释放输出端电容储存的电荷。

过热过载保护

芯片结温升至约 150℃时，过热关断电路切断输出，让芯片降温；待结温回落至约 120℃后，输出通路重新开启。根据芯片功耗、热阻与环境温度不同，过热保护会反复启停循环。该循环机制限制稳压器发热量，避免器件因高温永久损坏。

ET538XXZB 的过热关断电路仅用于应对短时过热过载工况，不可替代规范的散热设计。若芯片长期反复进入过热关断状态，会降低器件使用寿命与可靠性。