NS4152X 3.0W 单声道 D 类音频功率放大器
nsiway(纳芯威)NS4152X D类音频功放芯片概述：
NS4152X是款输山3w的单声道D类功燃放大器，其输出无需IC滤波也可正常工作
NS4152X在全带宽范围内降低了EMI干扰，最人限度地减少对其他部件的影响。
NS4152X内置短路保护、过流保护、过热保护检测模块，能够有效地保扩芯片在异常工作状况下人被损坏。其ClassD类的工作模式具有高达88%的效率，能够延长电池使用时间，适合于便携式高频产品。
NS4152X内部的PM构及内式可以使其在无输出滤波器的情况下正常工作，减少了外部元件、PCB 面积和系统成本，
NS4152X系列提供标准的SOP8、MSOP8、DFN8L封装，方便客户更灵活的选择:
NS4152X D类音频功放芯片特点：
工作电压范围:3.0V-5.5V
输出功率:3W@5V/4Q/THD+N=10%
高达 88%的效率
无需滤波器 Class-D 结构
优异的全带宽EMI抑制能力
优异的“上电/掉电”噪声抑制
低静态申流:6.5mA@3.6V/Noload
内置短路伿护、过流保护、过热保护
提供标准的 SOP8、MSOP8、DFN8L封装
应用领域
手提电脑
台式电脑
低压音响系统
典型应用电路
管脚配置：
| 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 说明 |
| 电源电压 VDD | -0.3 | 6 | V | |
| INP/INN/CTRL PIN | -0.3 | VDD+0.3 | V | |
| 环境温度 | -40 | 85 | ℃ | |
| 最大结温 TJMAX | — | 150 | ℃ | |
| 引脚温度（焊接） | — | 260 | ℃ | 15 秒内 |
| 储存温度 | -65 | 150 | ℃ | |
| ESD 电压 | ±4000 | — | V | HBM |
| Latch up +IT | — | 150 | mA | JEDFC NO.78 |
| Latch up -IT | — | -150 | mA | JEDFC NO.78 |
| 热阻 | — | — | — | |
| θJC(SOP8) | — | 65 | ℃/W | |
| θJC(MSOP8) | — | 75 | ℃/W | |
| θJC(DFN8L) | — | 75 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 标准值 | 最大值 | 单位 |
| VDD | 电源电压 | - | 3 | 5 | 5.5 | V |
| IDD | 电源静态电流 | VIN=0V, VDD=3.6V, No Load | - | 6.5 | - | mA |
| ISD | 关断漏电流 | VDD=3.6V, CTRL=0V | - | 0.1 | 1 | μA |
| Vos | 输出失调电压 | VIN=0V, VDD=3.0V to 5.25V | - | 5 | 20 | mV |
| fSW | 调制频率 | VDD=3.0V to 5.25V | - | 360 | - | kHz |
| PO | 输出功率 | THD=1%, f=1KHz, VDD=5V, RL=4Ω | - | 2.5 | - | W |
| PO | 输出功率 | THD=1%, f=1KHz, VDD=5V, RL=8Ω | - | 1.4 | - | W |
| PO | 输出功率 | THD=10%, f=1KHz, VDD=5V, RL=4Ω | - | 3 | - | W |
| PO | 输出功率 | THD=10%, f=1KHz, VDD=5V, RL=8Ω | - | 1.8 | - | W |
| THD+N | 总失真度 + 噪声 | VDD=3.6V, f=1kHz, RL=8Ω, PO=0.1W | - | 0.2 | - | % |
| THD+N | 总失真度 + 噪声 | VDD=3.6V, f=1kHz, RL=4Ω, PO=0.5W | - | 0.2 | - | % |
| PSRR | 电源抑制比 | 217Hz | - | -80 | - | dB |
| PSRR | 电源抑制比 | 20KHz | - | -72 | - | dB |
| CMRR | 共模抑制比 | - | - | -70 | - | dB |
| η | 效率 | PO=0.6W, f=1kHz, VDD=3.6V, RL=8Ω | - | 83 | - | % |
| VIH | CTRL 输入高电平 | - | 1.2 | - | VDD | V |
| VIL | CTRL 输入低电平 | - | 0 | - | 0.2 | V |
| Tst | 启动时间 | Bypass = 悬空 | - | 43 | - | ms |
| Tst | 启动时间 | Bypass=1uF, VDD=5.0V | - | 160 | - | ms |
| Tst | 启动时间 | Bypass=1uF, VDD=3.0V | - | 210 | - | ms |
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