NS4830

产品型号：NS4830

制造商：nsiway(纳芯威)

用途：音频功率放大器

电压-电源：2.7V-5.5V

温度范围：-40°C~+85°C

输出功率：5.3W×1@4Ω

信噪比：-

封装：eS0P10

描述：NS4830属于5.3W 单声道AB/D类音频功率放大器

说明书：点击下载

产品介绍

NS4830 5.3W 单声道AB/D类音频功率放大器附加自适应Charge Pump升压模块

nsiway(纳芯威)NS4830 AB/D类音频功放芯片概述：

NS4830是款AE/D类工作模式可切，电容式升压型，5.3W高效率的单声道音频功放。芯片内部凹定增益 24倍，有效减少了外围元器的数量。AB/D类工作模式可通过一个控制管脚高低电平切换，以匹配不同的应用环境。即使在口类工作模式

下，NS4830采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了EMI一扰:最大限度地减少对其他部件的影响。另外 NS4839 还具备电源自运应能力，当电源电压低的时候，功放会白动降低增益，从而减少功

放的输吕功率。

NS4830在4.2V的工作电压时，能够向4Ω负载提供高达5.3W的输出功率。NS4830内置过热保护功能，有效地保护忘片在异常工作状况下不被损坏。并日和用扩频技术充分优比个新电路设计,80%以上的效率夏加适合低电压，高功率输出的音频系统。

NS4830提供S0P10封装，额定工作温度范国为-40℃至 85℃

NS4830 AB/D类音频功放芯片特点：

集成自适应 Chargo Pump 升压模块

AH/1)类|作模式切换

输出功率:

5.3W(Load-42,VBAT-4.2V,Class D,THD+N-10%)

4,4W(Lnad=4(),VBAI=4.2V (lass ),[HD+N=1%)

推荐工作中压:2.7V-5.5V

关断电流<1uA

待机电流:4.5mA

eS0P10封装

应用领域

蓝牙音响、扩音器、其他便携音响

典型应用电路

管脚配置：

编号	管脚名称	管脚描述
1	VBAT	功率电源引脚，连接外部电源
2	CP	飞跨电容正端引脚
3	CN	飞跨电容负端引脚
4	CTRL	芯片关断引脚，低电平有效，可通过电阻分压网络选择芯片工作模式
5	AVBAT	内部模拟电路供电引脚
6	INP	音频输入信号正端引脚
7	INN	音频输入信号负端引脚
8	VOP	音频输出引脚正端
9	VON	音频输出引脚负端
10	PVDD	Charge Pump 模块电源输出引脚
11	GND（底部散热盘）	热焊盘地引脚

参数	最小值	最大值	单位
电源电压	—	7	V
输入电压	-0.3	VDD+0.3	V
储存温度	-65	150	℃
耐 ESD 电压（HBM）	±4000	—	V
结温	—	150	℃
推荐工作温度	-40	85	℃
推荐工作电压	2.7	5.5	V
热阻
θJC (eSOP8)	—	10	℃/W
θJA (eSOP8)	—	45	℃/W
焊接温度	—	250	℃

符号	参数	测试条件	最小值	标准值	最大值	单位
VBAT	供电电压	—	2.7	—	5.5	V
ΔVOP-ON	输出失调电压	INN/INP=0V, Av=2V/V	—	5	30	mV
ΔVOP-ON	输出失调电压	VBAT=3.0V to 5.0V	—	5	30	mV
PSRR	电源抑制比	VBAT=2.7V~5.5V, 217Hz	—	-80	—	dB
CMRR	共模抑制比	INN=INP, VBAT=2.7V~5.5V	—	-72	—	dB
IDD	静态电流	VBAT=3.7V, No Load, No Filter（Class D）	—	6	—	mA
		VBAT=3.7V, No Load, Class AB	—	6.5	—	mA
ISD	关断电流	—	—	0.1	—	uA
RDS(ON)	漏源极导通电阻（D 类）	VBAT=5.0V	—	200	—	mΩ
FSW-CHG	Charge Pump 开关频率	VBAT=2.7V~5.5V	—	1.4	—	MHz
FSW-D	D 类调制频率	VBAT=2.7V~5.5V	—	360	—	KHz
RIN	内部输入电阻	—	—	20	—	KΩ
TSD	过温度保护阈值	—	—	170	—	℃
TSDR	过温度保护退出阈值	—	—	120	—	℃
VPDD	Charge Pump 输出电压	IPVDD=100mA	6.2	6.5	6.8	V
ICPVDD	Charge Pump 最大输出电流	VBAT=4.2V	—	1.8	—	A
TSS	Charge Pump 软启动时间	—	—	600	—	us
TST	芯片启动设定时间	—	—	48	—	ms
TMOD_D	D/AB 类模式转换时间	—	—	48	—	ms
PO	输出功率（Class D）	VBAT=3.6V, RL=4Ω+33uH, f=1KHz, Class D, THD=1%	—	4.08	—	W
		VBAT=3.6V, RL=4Ω+33uH, f=1KHz, Class D, THD=10%	—	4.67	—	W
		VBAT=4.2V, RL=4Ω+33uH, f=1KHz, Class D, THD=1%	—	4.35	—	W
		VBAT=4.2V, RL=4Ω+33uH, f=1KHz, Class D, THD=10%	—	5.28	—	W
η	效率	—	—	80	—	%
THD+N	总失真度 + 噪声	VBAT=3.6V, f=1kHz, RL=4Ω+33uH, Po=0.5W	—	0.03	—	%
		VBAT=4.2V, f=1kHz, RL=4Ω+33uH, Po=1.0W	—	0.05	—	%
PO1	输出功率（Class AB）	VBAT=3.6V, RL=4Ω, f=1KHz, THD=1%	—	1.19	—	W
		VBAT=3.6V, RL=4Ω, f=1KHz, THD=10%	—	1.54	—	W
		VBAT=4.2V, RL=4Ω, f=1KHz, THD=1%	—	1.56	—	W
		VBAT=4.2V, RL=4Ω, f=1KHz, THD=10%	—	2.01	—	W