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NS4263B

NS4263B
产品型号:NS4263B
制造商:nsiway(纳芯威)
用途:音频功率放大器
电压-电源:3.0V-5.5V
温度范围:-40°C~+85°C
输出功率:3.1W
信噪比:85dB
封装:SOP16
描述:NS4263B属于AB/D类双模音频功率放大器 10W 10W 单声道
说明书:点击下载
产品介绍

NS4263B 3.1Wx2 双声道 AB/D 类双模音频功率放大器附加耳机模式

nsiway(纳芯威)NS4830 AB/D类音频功放芯片概述:

NS4763B是款带A类类T作式切功能,超低 EMI,无需滤波器、3W 双声道音频功放。另外,当耳机插头接入插孔时,音频功率放大恭便以单端工作模式驱动立体卢耳机。通过、个控制管脚使芯片在AB类或者D类工作模式之问切换,以匹配不同的心用环境。即生下作4D类模式NS4263B采用先进的技术,在全带宽范围内极人地降低了EMI十扰,最大限变地减少对其他部件的影响。为简化音频系统的设计,NS4263B的桥式连接扬声器放人模式及单端立本耳机放人模式都在反芯片上业现。NS4763B无需滤波器的PWM调制结构馈电阳内置方式减少了外部元件、PCB山积利系统成本。NS4263B内置过流保护和欠压保产功能,有效地你护芯片在异常工作状况下不被损坏。NS4263B提伏标准的 SOP16装。

NS4830 AB/D类音频功放芯片特点:

集成自适应 Chargo Pump 升压模块

工作电压范围:3.0V-5.5V

AB类和D类工作式切换

四种NN破式可选

线脉冲控制工作模式与关断模式

内置立体声耳机输出功能

输出功率 3.1W@Class D/Load=4ohm

THD+N=0.2%@VDD=5V/P0=1W

优异的全带宽EMI抑制能力

优异的“工电和掉电”噪声抑制

内置过流供护、欠压保护等

提供标准的 SOP16 封装

应用领域

蓝牙音箱、电脑对箱

投影仪、TC 电视、平板中脑

典型应用电路

NS4263B应用电路

管脚配置:

NS4263B管脚配置图


编号管脚名称管脚描述
1SD关断 / AB 类 / D 类模式切换控制脚,高电平关断
2GND电源地
3VoLP左声道输出正端
4VDD电源输入正极
5VoLN左声道输出负端
6INLN左声道输入负端
7GND电源地
8NC空脚(无功能)
9NC空脚(无功能)
10VREF参考电压基准脚,连接 1uF 电容至 GND
11INRN右声道输入负端
12VoRN右声道输出负端
13VDD电源输入正极
14VoRP右声道输出正端
15GND电源地
16HP-IN耳机模式控制端
参数最小值最大值单位
输入电压-0.35.5V
储存温度-65150
耐 ESD 电压4000V
结温150
工作温度-4085
工作电压35.25V
热阻


θJC (SOP16)20℃/W
θJA (SOP16)80℃/W
焊接温度260

NS4263B功能框图

符号参数测试条件最小值标准值最大值单位
VDD电源电压35.25V
IDD电源静态电流VDD=3.6V, VN=0V, No load10mA


VDD=5.0V, VN=0V, No load15mA
ISD关断漏电流VSD=0V115μA
Vos输出失调电压1040mV
Ro输出电阻3
PSRR电源抑制比217Hz-80dB


20KHz-72dB
CMRR共模抑制比-70dB
fSW调制频率VDD=3.0V to 5.25V450kHz
VIH逻辑控制端高电平1.6V
VIL逻辑控制端低电平0.4V
THISD 高电平时间112μs
TLOSD 低电平时间112μs
TOFFSD 关断时间100μs







耳机输出模式(VDD=5.0V)





表格





符号参数测试条件标准值单位

Po输出功率THD+N=1%, f=1KHz, RL=16Ω110mW



THD+N=1%, f=1KHz, RL=32Ω80mW

XTALK立体声分离度RL=32Ω, Pc=10mW-85dB

THD+N失真度RL=16Ω/32Ω, f=1KHz, Po=10mW0.2%

SNR信噪比RL=32Ω, Pc=10mW85dB








外置喇叭输出模式(VDD=5.0V)





表格





符号参数测试条件标准值单位

Po输出功率THD=1%, f=1KHz, Class AB, RL=4Ω2W



THD=1%, f=1KHz, Class AB, RL=8Ω1.3W



THD=10%, f=1KHz, Class AB, RL=4Ω2.6W



THD=10%, f=1KHz, Class AB, RL=8Ω1.7W



THD=1%, f=1KHz, Class D, RL=4Ω2.3W



THD=1%, f=1KHz, Class D, RL=8Ω1.4W



THD=10%, f=1KHz, Class D, RL=4Ω3W



THD=10%, f=1KHz, Class D, RL=8Ω1.8W

THD+N失真度 + 噪音f=1KHz, Class D, Po=0.5W, RL=4Ω/8Ω0.2%

Stereo Isolation立体声分离度RL=4Ω, Po=0.5W-80dB

SNR信噪比RL=4Ω, Po=0.5W85dB


ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书 ISO体系认证证书

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