KH25U25645GXDI00

KH25U25645GXDI00芯片型号介绍

1.8V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4]

CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)

FLASH MEMORY

Key Features

· Multi I/O Support- Single I/O, Dual I/O and Quad I/O

. Supports DTR (Double Transfer Rate) Mode

· 8/16/32/64 byte Wrap-Around Read Mode

1.特点

上将

命令重置

支持串行外围接口-模式0和

编程/擦除暂停和恢复操作

模式3

电子识别

单电源操作

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

-1.65至2.0伏用于读取、擦除和编程

身份证件

活动

-1字节设备ID的RES命令

268435456 x 1位结构

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

或134217728 x 2位（双I/O模式）结构

1字节设备ID

或67108864 x 4位（四I/O模式）结构

支持串行闪存可发现参数

协议支持

（SFDP）模式

-单I/O、双I/O和四I/O

从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

硬件功能

SPI模式的快速读取

SCLK输入

-支持高达166MHz的快速时钟频率

-串行时钟输入

-支持快速读取、2读、DREAD、4读、，

硅/二氧化硅

QREAD指令

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

-支持DTR（双倍传输速率）模式

x I/O读取模式和4x I/O读取模式

-可配置的虚拟循环数，用于快速读取

SO/SI01

行动

-串行数据输出或串行数据输入/输出

支持性能增强模式-XIP

2 x 1/O读取模式和4 x I/O读取模式

（就地执行）

WP#/SIO2

四外设接口（QPI）可用

-硬件写保护或串行数据输入/

相等的4K字节扇区，或相等的32K块

4 x I/O读取模式的输出

每个字节或64K字节

重置#

-任何块都可以单独擦除

-硬件复位引脚

编程：

重置#/SIO3*或NC/SIO3*

-256字节页面缓冲区

-硬件复位引脚或4路串行输入输出

-四输入/输出页面程序（4PP）增强

x I/O读取模式

程序性能

或

典型的100000次擦除/编程周期

-4 x I/O无连接或串行输入输出

20年数据保留

读取模式

*取决于零件号选项

软件功能

包裹

输入数据格式

-16针SOP（300mil）

-1字节命令代码

-24球BGA（5x5球阵列）

高级安全功能

-8陆地WSON（8x6mm 3.4 x4.3EP）

-闭锁保护

-所有设备均符合RoHS和卤素标准-

BPO-BP3和T/B状态位定义了

自由的

要防止编程和擦除的区域

说明书

-先进的扇区保护功能

额外的8K位安全OTP

-具有唯一标识符

-工厂锁定可识别，客户可锁定

2.概述

KH25U25645G是256Mb位串行NOR闪存，内部配置为33554432 x 8。什么时候

则结构变为134217728位x2或67108864位x4。KH25U25645G

具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上运行

单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。

通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SiO0引脚和SIO1引脚，用于地址/虚拟位输入

以及数据输出。当它处于四输入/输出读取模式时，SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚（8引脚封装）

成为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。

KH25U25645G MXSMIO°（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

使用编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证

将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

在扇区（4K字节）、块（32K字节）或块（64K字节）上执行擦除命令的基于字节或字的擦除命令。

或基于整个芯片。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以通过wiPbit发出命令来检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分

更多细节。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

KH25U25645G利用Macronix的专有内存ce，即使在

100000个编程和擦除周期。

6.数据保护

在电源转换过程中，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电时，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令后更改

序列已成功完成。

在下文中，有几个功能可以保护系统在VCC供电期间免受意外写入周期的影响-

启动和关闭电源或系统噪声。

有效命令长度检查：将检查命令长度是否以字节为基础并完成

在字节边界上。

写启用（WREN）命令：在之前设置写启用锁存位（WEL）需要WREN命令

其他用于更改数据的命令。

深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备也受到保护

写入除深度断电模式命令（RDP）和读取电子命令之外的所有命令

签名命令（RE）、擦除/程序挂起命令、擦除/节目恢复命令和软复位

命令。

高级安全功能：有一些保护和安全功能可以保护内容免受

linadvertent写入和恶意访问。