KH25U12832FZNI02

KH25U12832F 1.8V,128M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI IV/O) FLASH MEMORY

KHIC(港宏)KH25U12832FZNI02 nor flash特点：

通用特性（GENERAL）

- 支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0、模式 3

- 单电源供电工作

  - 读、擦除、编程操作电压：1.65V ~ 2.0V

- 存储架构

  - 134,217,728 × 1bit（单 I/O）

  - 或 67,108,864 × 2bit（双 I/O 模式）

  - 或 33,554,432 × 4bit（四 I/O 模式）

- 协议支持：单 I/O、双 I/O、四 I/O

- 闩锁保护：在‑1V ~ Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

- SPI 模式高速读取

  - 全部协议时钟频率最高支持 133MHz

  - 支持 Fast Read、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

  - 高速读操作可配置虚拟等待周期数

- 支持性能增强模式 ——XIP（就地执行）

- 支持四外设接口（QPI）

- 统一 4KB 扇区；块规格可选 32KB、64KB

  - 任意块均可独立擦除

- 编程特性

  - 256 字节页缓存

  - 四 I/O 页编程（4PP），提升编程性能

- 典型擦写循环次数：100 000 次

- 数据保存年限：20 年

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

- 输入数据格式：1 字节指令码

- 高级安全功能

  - 块锁定保护

  BP0‑BP3 以及 T/B 状态位设定受保护区域大小，禁止对该区域执行编程、擦除指令

  - 高级扇区保护功能（Solid Protect）

- 额外 8Kbit 安全一次性可编程（OTP）区域

  - 内置唯一识别码

  - 出厂识别信息可锁定，用户也可自行锁定

- 指令复位

- 编程 / 擦除暂停与恢复操作

- 电子识别

  - JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

  - RES 指令：读取 1 字节器件 ID

  - REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

- 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

- SCLK 输入：串行时钟输入

- SI/SIO0：串行数据输入；双 I/O、四 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

- SO/SIO1：串行数据输出；双 I/O、四 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

- WP#/SIO2：硬件写保护；四 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

- RESET#/SIO3：硬件复位引脚；四 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

封装（PACKAGE）

- 8-WSON (6x5mm)

- 8-SOP (200mil)

- 全部器件符合 RoHS 规范，无卤素

KH25U12832FZNI02概述：

KH25U12832F 是一款128Mb比特的串行NOR 闪存，内部配置为16,777,216 X 8。当处于两线或四线I/O模式时，其结构变为67,108,864比特 ×2或33,554,432比特 × 4。KH25U12832F具有串行外设接口和软件协议，在单线I/O模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK)、串行数据输入（SI)和串行数据输出（SO)。通过CS#输入可启用对该器件的串行访问。

当处于两路I/O 读取模式时，SI 引I脚和 SO 引脚变为SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址/伪码输入和数据输出。当处于四路I/O 读取模式时,Si 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 RESET# 引脚变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3引脚，用于地址/伪码输入和数据输出。

KH25U12832F的MXSMIO（串行多I/O）提供对整个芯片的顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，对指定的页、扇区/块位置进行编程/擦除并验证。编程命令可以按字节、页（256字节）或字执行。擦除命令可以按4K字节扇区、32K字节块、64K字节块或整个芯片执行。为使用户能够方便地操作界面，本芯片包含一个状态寄存器以指示其工作状态。可通过WIP位发出状态读取命令，以检测程序或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全特性部分以获取更多详细信息。

当设备未运行且CS#为高电平时，将保持在待机模式。

KH25U12832F采用Macronix专有的存储单元，即使在经过10万次编程和擦除循环后仍能可靠地保存内存内容。