KH25V16066M2I02

KH25V16066 2.3V-3.6V, 16M-BIT [x 1/x 2] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

KHIC(港宏)KH25V16066M2I02 nor flash特点：

通用特性

- 支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 与模式 3

- 存储架构：16777216 ×1 位，或 8388608 ×2 位（双输出模式）

- 扇区统一，每扇区 4K 字节；块统一，每块 32K 字节或 64K 字节

 — 任意块均可独立擦除

- 单电源供电工作

 — 读、擦除、烧录操作工作电压：2.3V‑3.6V

- 锁存保护：‑1V 至 Vcc+1V 电压条件下可承受 100mA 电流

性能参数

- 高性能

 — 高速读取

  1 路 I/O：80MHz，8 个虚拟时钟周期

  1 输入 / 2 输出：80MHz，8 个虚拟时钟周期，等效 160MHz

 — 快速烧录与擦除时间

- 低功耗

- 典型擦写寿命：100000 次擦除 / 烧录循环

- 数据保存时间：20 年

软件特性

- 输入数据格式：1 字节指令码

- 高级安全特性：块锁保护

 状态位 BP0‑BP3 用于定义软件保护区域大小，对烧录、擦除指令实施软件防护

- 自动擦除与自动烧录算法

 — 通过内部算法，对选定扇区 / 块自动执行擦除与数据校验

 — 对选定页面自动完成烧录与校验，内部算法自动控制烧录脉冲宽度

 （待烧录的页面必须预先处于擦除状态）

- 状态寄存器功能

 — 电子器件识别

  JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

  RES 指令：读取 1 字节器件 ID

  REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID +1 字节器件 ID

 — 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

- SCLK：串行时钟输入

- SI/SIO0：串行数据输入；双 I/O 读模式下为串行数据输入 / 输出

- SO/SIO1：串行数据输出；双 I/O 读模式下为串行数据输入 / 输出

- WP#：硬件写保护引脚

封装信息

8-pin SOP (150mil) 

8-pin SOP (200mil）

‑ 全部器件符合 RoHS 规范，无卤素

KH25V16066M2I02概述：

KH25V16066 是一款 16Mbit 串行 NOR Flash，内部存储架构为 2097152 ×8 位。

KH25V16066 搭载串行外设接口与软件协议，在单 I/O 模式下可通过简易三线总线完成工作。三路总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）以及串行数据输出（SO），由片选输入引脚 CS# 使能芯片的串行访问。

当芯片工作在双 I/O 读模式时，SI 引脚与 SO 引脚切换为 SIO0、SIO1，用于地址 / 虚拟位输入以及数据输出。KH25V16066 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持全芯片连续读取操作。

下发烧录 / 擦除指令后，芯片会运行自动烧录 / 擦除算法，对指定页面、扇区或块地址完成烧录 / 擦除并校验。烧录指令可按字节、页面（256 字节）或者字单位执行；擦除指令支持按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块，或者整片擦除执行。

为方便用户对接使用，芯片内置状态寄存器，用于反馈芯片工作状态。可发送状态读取指令，通过 WIP 位判断烧录或擦除操作是否完成。

芯片配备高级安全特性，强化数据防护能力，更多细节请查阅安全特性章节。

KH25V16066 采用旺宏自研存储单元，典型可承受 100000 次烧写擦除循环，循环后仍可可靠保存存储数据。