KH25L12845GM2I-08G

KH25L12845E HIGH PERFORMANCE SERIAL FLASH SPECIFICATION

KHIC(港宏)KH25L12845GM2I-08G产品特征：

上将

•兼容串行外围接口——模式0和模式3

•128Mb:134217728 x 1位结构或67108864 x 2位（两个I/O模式）结构或33554432 x 4位（四个

I/O模式）结构

•4096个相等的扇区，每个扇区4K字节

-任何扇区都可以单独擦除

•512个相等的块，每个块32K字节

-任何块都可以单独擦除

•256个相等的块，每个块64K字节

-任何块都可以单独擦除

•电源操作

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作

•从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

性能

•高性能

VCC=2.7~3.6V

-正常读取

-50MHz

-快速读取（普通串行模式）

-1个输入/输出：104MHz，8个虚拟周期

-2个输入/输出：70MHz，4个虚拟周期

-4个输入/输出：70MHz，6个虚拟周期

-快速读取（双倍传输速率模式）

-1个输入/输出：50MHz，6个虚拟周期

-2个输入/输出：50MHz，6个虚拟周期

-4个输入/输出：50MHz，8个虚拟周期

-快速编程时间：1.4ms（典型值）和5ms（最大值）/页（每页256字节）

-字节编程时间：9us（典型）

-连续编程模式（在字编程模式下自动增加地址）

-快速擦除时间：60ms（典型值）/扇区（每个扇区4K字节）；0.7秒（典型值）/块（每个块64K字节）；80秒（典型值）/芯片

•低功耗

-低有效读取电流：104MHz时最大19mA，66MHz时最大15mA，33MHz时最大10mA

-低有效编程电流：25mA（最大）

-低有效擦除电流：25mA（最大）

-低待机电流：100uA（最大）

-深度断电电流：40uA（最大）

•典型的100000次擦除/编程周期

软件功能

•输入数据格式

-1字节命令代码

•高级安全功能

-BP0-BP3块组保护

-OTP WPSEL=1时，灵活的单个块保护

-额外的4K位安全OTP用于唯一标识符

•自动擦除和自动编程算法

-自动擦除和验证所选扇区的数据

-通过内部算法自动对所选页面的数据进行编程和验证，该算法会自动计时

编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应该首先使页面处于擦除状态。）

•状态寄存器功能

•电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID

-1字节设备ID的RES命令

-用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS、REMS2、REMS4和REMS4D命令

•支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件功能

•SCLK输入

-串行时钟输入

•硅/二氧化硅

-2 x I/O模式和4 x I/O模式的串行数据输入或串行数据输入/输出

•SO/SIO1/PO7

-2 x I/O模式和4 x I/O模式的串行数据输出或串行数据输入/输出或并行数据

•WP#/SIO2

-4 x I/O模式的硬件写保护或串行数据输入/输出

•NC/SIO3

-4 x I/O模式的NC引脚或串行数据输入/输出

•PO0~PO6

-对于并行模式数据（只有128Mb提供并行模式）

•包装

-16针SOP（300mil）

-所有设备均符合RoHS标准

KH25L12845GM2I-08G一般说明

KH25L12845E是134217728位串行闪存，内部配置为16777216 x 8。当它如果处于两个或四个I/O模式，则结构变为67108864位x2或33554432位x4。KH25L12845E具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上操作。三辆巴士信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。对设备的串行访问通过CS#输入启用。

KH25L12845E提供高性能读取模式，可以在上升和下降时锁存地址和数据时钟的边缘。通过使用这种高性能读取模式，数据吞吐量可能会翻倍。此外，性能可以达到直接代码执行，系统的RAM大小可以减小，进一步节省系统成本。

KH25L12845E，MXSMIOTM（串行多I/O）闪存，在整个芯片上提供顺序读取操作以及多I/O功能。

当它处于双I/O模式时，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。当它处于四输入/输出模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和NC引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。该设备还提供并行模式。 

它具有8位输入/输出，可提高吞吐量。建议将此功能用于工厂生产。 

发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，对指定的页面或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。程序命令按字节或页（256）执行以字节为基础或以字为基础。连续编程模式和擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令以通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

当设备未运行且CS#为高时，它将进入待机模式，并消耗小于100uA的直流电流。

KH25L12845E采用Macronix专有的存储单元，即使在100000个编程和擦除周期。