KH25V80066M2I02

产品型号：KH25V80066M2I02

制造商：KHIC(港宏)

价格：

温控范围：-40℃~+85℃

用途：快闪记忆体

存储容量：8Mbit

电压-电源：2.3V~3.6V

规格封装：150mil 8-SOP

说明书：点击下载

产品介绍

KH25V80066 2.3V-3.6V, 8M-BIT [x 1/x 2] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

KH25V80066M2I02芯片产品介绍

功能：2.3V-3.6V，用于读取、擦除和程序操作，多I/O支持-单I/O和双I/O

通用特性（GENERAL）

- 支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 与模式 3

- 存储架构

- 8,388,608 × 1bit

- 或 4,194,304 × 2bit（双输出模式）

- 扇区统一为 4KB；块规格可选 32KB、64KB

- 任意块均可独立擦除

- 单电源供电

- 读、擦除、编程工作电压：2.3V‑3.6V

- 闩锁保护：‑1V ~ Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能参数（PERFORMANCE）

- 高性能

- 高速读取

- 单 I/O：80MHz，8 个虚拟等待周期

- 双 I/O：80MHz，8 个虚拟等待周期，等效 160MHz

- 快速编程与擦除时间

- 低功耗

- 典型擦写循环：100 000 次

- 数据保存时间：20 年

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

- 输入数据格式：1 字节指令码

- 高级安全功能

- 块锁定保护

BP0‑BP3 状态位设定软件保护区域范围，禁止对该区域执行编程、擦除指令

- 自动擦除、自动编程算法

- 对选定扇区或块自动执行擦除并校验

- 通过内部算法自动控制编程脉冲宽度，对选定页自动编程并校验

（待编程的页面必须预先处于擦除状态）

- 状态寄存器功能

- 电子识别

- JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

- RES 指令：读取 1 字节器件 ID

- REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

- 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

- SCLK 输入：串行时钟输入

- SI/SIO0：串行数据输入；双 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

- SO/SIO1：串行数据输出；双 I/O 读模式下为串行输入 / 输出引脚

- WP#：硬件写保护引脚

封装：- 8-pin SOP (150mil) - 8-pin SOP (200mil)

KH25V80066M2I02芯片描述：2.一般描述KH25V80066是8Mb位串行不或闪存，其内部配置为1,048,576 x 8。KH25V80066具有串行外设接口和软件协议，允许在单I/O模式下在一个简单的三线总线上运行。这三个总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。当它处于两个I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变成SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/虚拟位的输入和数据输出。KH25V80066 MXSMIO®（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作

在程序/擦除命令发出后，将执行自动程序/擦除算法，这些程序/擦除并验证指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节、页(256字节）或字来执行。擦除命令在4K字节扇区、32KB块（32K字节）、64K字节块或整个芯片基础上执行。为了给用户提供方便的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。可以发出状态读取命令，以检测程序的完成状态或擦除操作。高级安全功能增强了保护和安全功能，详情请参阅安全功能部分。KH25V80066利用了Macronix的专有内存单元，即使经过典型的10万个程序和擦除周期，它也能可靠地存储内存内容。