KH25U8033E
通用信息
·单电源供电操作
-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏特
·兼容串行外设接口——模式0和模式3
·8M:8,388,608 × 1位结构或4,194,304 X 2位 (TVO I/O读取模式)结构或2,097,152 X 4位 (四/O读取模式)结构
·256个等分扇区,每个4KB字节
- 任意扇区可单独擦除。
·32个等效块,每个32KB字节
- 任意块可单独擦除
·16个等效块,每个64KB字节
-任何块均可单独擦除
·程序能力
-字节基址
- 页面基址(256字节)
·抗门锁保护,从-1V到Vcc+1V时最大电流为100mA
性能
·高性能
-快速读取
-1个I/O:80MHz,带8个假循环
-2 /O:80MHz,含4个假周期,等效于160MHz
-4个I/O:70MHz,含6个假周期,等效于280MHz;
- 快速编程时间:1.2毫秒(典型值)和3.0毫秒(最大值)/页(每页256字节)
-字节编程时间:10微秒(典型值)
- 快速擦除时间
- 30毫秒(典型值)和200毫秒(最大值)/扇区(每扇区4千字节)
-200毫秒(典型值)和1000毫秒/块(每块32千字节)
- 500毫秒(典型值)和2000毫秒/块(每块64千字节)
-5.0秒(典型值)和10秒(最大值)/芯片
低功粍
-低活动读取电流:在80MHz时最大为12mA,在33MHz时最大为7mA
-低激活擦除/编程电流:25mA(最大)
- 低待机电流:8μA(典型值)、/30μA(最大值)
:低深度关断电流:8μA(最大)
:典型擦除/编程循环次数为100,000次
·20年数据保持时间
软件功能
·输入数据格式
-1字节命令码
高级安全功能
- 块锁定保护
BPO-BP3状态位定义了受软件保护的区域大小,以防止程序和擦除指令。
-额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
自动擦除和自动编程算法
-自动擦除并验证选定扇区或块的数据
-通过内部算法自动对选定页面进行编程和验证,该算法会自动定时控制编程脉冲宽度(任何需要编程的页面应先处于擦除状态)。
状态寄存器功能
电子识别
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
-用于1字节设备ID的RES命令
- 支持用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS、REMS2和REMS4命令
支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
硬件特性
·SCLK输入
-串行时钟输入
·SI/SIOO
-串行数据输入或串行数据输入/输出,适用于2个I/O读取模式和x个I/O读取模式
SO/SIO1
- 串行数据输出或串行数据输入/输出,适用于2倍I/O读取模式和4倍I/O读取模式
·WP#/SIO2
- 硬件写保护或串行数据输入/输出,适用于4个1/O读取模式
·HOLD#/SIO3
-HOLD功能,用于在不取消选择设备或串行数据输入/输出的情况下暂停设备,适用于4×I/O读取模式
·封装
- 8-land USON (4x4mm)
- 8-pin SOP (150mil)
- 8-pin SOP (200mil)
-8-land WSON (6x5mm)
- 8-pin TSSOP (173mil)
-所有器件均符合RoHS标准且不含卤素
相关型号:
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KH25U8033E描述:
KH25U8033E 是一款 8,388,608 位串行闪存,内部配置为1,048,576 X 8。KH25U8033E 具有串行外设接口和软件协
议,使其在单I/O模式下可通过简单的四线总线进行操作。这四个总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入
(SI)、串行数据输出(SO)和片选(CS#)。通过CS#输入可启用对该器件的串行访问。
当处于双路输入/输出读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/伪数据位输入和数据输出。
当处于四路输入/输出读取模式时,SI引I脚、SO引脚、WP#引I脚和HOLD#引I脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚
和SIO3引脚,用于地址/伪数据位输入和数据输出。
KH25U8033E的MXSMIO(串行多I/O)提供对整个芯片的顺序读取操作。
在发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页或扇区/块位置进行编程、擦除
和验证。编程命令按字节或页 (256字节)为单位执行,擦除命令按4K字节扇区、32K字节块、
64K字节块或整个芯片为单位执行。
为方便用户使用,本芯片包含一个状态寄存器以指示其工作状态。可通过WIP位发出状态读取命令,以检测
程序或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护与安全性,更多详情请参阅安全功能部分。
当设备未运行且CS#为高电平时,将进入待机模式。
KH25U8033E采用Macronix专有的存储单元,即使在经过10万次编程和擦除循环后仍能可靠地保存内存内容。
