MX25R3235F

MX25R3235F ULTRA LOW POWER,32M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25R3235F  Serial NOR Flash芯片型号介绍：

一、通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface）模式 0 和模式 3

存储结构可选：33,554,432×1 位、16,777,216×2 位（双 I/O 模式）或 8,388,608×4 位（四 I/O 模式）

扇区与块规格：每个扇区固定 4KB，每个块可选固定 32KB 或 64KB

任意块均可单独擦除

单电源供电

工作电压：读取、擦除、编程操作均为 1.65V-3.6V

具备闩锁保护功能：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流（原文 “10OmA” 应为 “100mA”，此处按常规参数修正）

二、性能特性

高性能

读取速度快

1 路 I/O：80MHz，需 8 个虚拟周期

2 路 I/O：80MHz，需 4 个虚拟周期，等效于 160MHz

4 路 I/O：80MHz，需 2+4 个虚拟周期，等效于 320MHz

编程与擦除速度快

支持 8/16/32/64 字节回绕突发读取模式

支持性能增强模式 ——XIP（片上执行，execute-in-place）

超低功耗

擦除 / 编程周期：最少 100,000 次

数据保留期：20 年

三、软件特性

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护：BPo-BP3（应为 “BP0-BP3”，按行业常规命名修正）状态位定义受软件保护的区域范围，该区域可抵御编程和擦除指令

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）存储区

具备唯一标识符

出厂时已锁定（可识别），客户可进一步锁定

自动擦除与自动编程算法

可通过内部算法自动对选定扇区或块执行擦除及数据验证

可通过内部算法自动对选定页执行编程及数据验证，算法会自动控制时序（原文 “rogauwagpgsapagtrasa” 为乱码，此处按 “自动控制时序” 的合理逻辑补充修正）

状态寄存器功能

命令复位

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复

电子标识

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 命令，可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 命令，可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

引脚功能

SCLK 输入引脚：串行时钟输入引脚

SI/SIO0 引脚：串行数据输入引脚；在 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

SO/SIO1 引脚：串行数据输出引脚；在 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

WP#/SIO2 引脚：硬件写保护引脚；在 4 路 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚（“#” 表示低电平有效）

RESET#/SIO3 或 HOLD#/SIO3 引脚 **（“*” 表示功能可选，“#” 表示低电平有效）：

硬件复位引脚；或在 4 路 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

或具备 HOLD（保持）功能：可暂停器件工作，但不会取消器件选中状态；或在 4 路 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

具体功能取决于器件型号选项

封装形式（PACKAGE）

M1:8-SOP(150mil)

M2: 8-SOP(200mil)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

ZB:8-USON (4x3mm)

BD:3-2-3 12-WLCSP(Height:0.52mm)

BF:3-2-3 12-WLCSP(Height:0.395mm)

所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）

MX25R3235F 介绍：

MX25R3235F 是一款容量为 32Mb（兆位）的串行 NOR 闪存，其内部存储结构配置为 4,194,304×8 位。当工作在四 I/O 模式时，该存储结构可变为 8,388,608 位 ×4 位或 16,777,216 位 ×2 位。

MX25R3235F 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下，可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#，“#” 表示低电平有效）可使能对器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出；当工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚（写保护引脚）及 RESET#/HOLD# 引脚（复位 / 保持引脚）会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

MX25R3235F 的 MXSMIO®（串行多 I/O，Serial Multi I/O）功能支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定的页或扇区 / 块地址执行编程 / 擦除操作，并进行数据验证。其中，编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令可按扇区（4KB）、按 32KB 块、按 64KB 块或对整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，器件内置状态寄存器，用于指示芯片当前状态。用户可发送状态读取命令，通过 WIP（写进行中，Write In Progress）位检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了器件的保护与安全功能，更多详情请参见 “安全特性” 章节（原文 “securiyfeaturesenhancteproection” 存在拼写错误，修正为 “Advanced security features enhance the protection”）。

MX25R3235F 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即使经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储数据。

Macronix MX25R3235F芯片串行多I/O（MXSMIO™）闪存不仅提供单I/O，还提供多I/O接口。MX66xxx35或MX25xxx33/35/39/73/75系列提供双I/O或四I/O操作，可将高端消费应用系统的读取性能提高一倍或四倍。

MX25R3235F规格

完整零件号不同封装系列：