MX25L25635FZ2I-10G

MX25L25635F 3V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子) MX25L25635FZ2I-10G 2.5/3V Serial NOR Flash芯片特点：

产品特性

基础通用特性

支持串行外设接口（SPI）模式 0 与模式 3

单电源供电：读取、擦除、烧录工作电压 2.7V~3.6V

256Mb 存储架构：

单 I/O 模式：268,435,456 × 1 位；

双 I/O 模式：134,217,728 × 2 位；

四 I/O 模式：67,108,864 × 4 位

通信协议：支持单路 I/O、双路 I/O、四路 I/O

闩锁防护：-1V 至 VCC+1V 电压区间可承受 100mA 电流

SPI 高速读取：

全协议最高时钟频率 133MHz；

支持快速读、双线读、双线高速读、四线读、四线高速读指令；

高速读取可配置冗余时钟周期

支持四线外设接口（QPI）

存储分区架构：

4KB 大小均等扇区 / 32KB 大小均等块 / 64KB 大小均等块；

支持任意存储块独立擦除

烧录性能：

256 字节页缓存；

四线输入输出页烧录（4PP），大幅提升烧录速度

典型擦写寿命：10 万次擦除 / 烧录循环

数据保存时长：20 年

软件功能特性

输入数据格式：单字节指令码

高级安全防护功能

区块锁定保护：BP0~BP3、T/B 状态位可划定保护区域，禁止该区域执行烧录、擦除指令

高级扇区保护（硬件锁保护 + 密码锁保护两种模式）

额外 4Kbit 一次性可编程（OTP）安全区

内置唯一芯片识别码

出厂默认锁定标识，用户可二次锁定

软件指令复位功能

烧录 / 擦除暂停、恢复操作

电子芯片识别码读取

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

RES 指令：读取 1 字节器件 ID

REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可识别参数（SFDP）标准模式

硬件特性

SCLK 输入引脚 —— 串行时钟输入

SI/SIO0—— 串行数据输入；双线 I/O、四线 I/O 读取模式下为串行数据输入输出复用引脚

SO/SIO1—— 串行数据输出；双线 I/O、四线 I/O 读取模式下为串行数据输入输出复用引脚

WP#/SIO2—— 硬件写保护引脚；四线 I/O 读取模式下为串行数据输入输出复用引脚

RESET#/SIO3—— 硬件复位引脚；四线 I/O 读取模式下为串行数据输入输出复用引脚

封装：

-16-pin SOP (300mil)

- 8-land WSON (8x6mm) 

All devices are RoHS Compliant and Halogen-free

MX25L25635FZ2I-10G概述

MX25L25635F 是一款 256Mb 串行闪存，内部存储架构为 33,554,432 × 8 位。工作在双线 I/O 模式或四线 I/O 模式时，存储架构分别切换为 134,217,728 × 2 位、67,108,864 × 4 位。

MX25L25635F 搭载串行外设接口及配套软件通信协议，单路 I/O 模式下仅需简易三线总线即可完成通信。三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）；片选引脚 CS# 用于使能芯片串行读写访问。

双线 I/O 读取模式下，SI、SO 引脚复用为 SIO0、SIO1，用于地址 / 冗余时钟位输入与数据输出；

四线 I/O 读取模式下，SI、SO、WP#、RESET# 四根引脚分别复用为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，共同承载地址 / 冗余时钟位输入与数据输出。

该芯片搭载旺宏 MXSMIO®（多路串行输入输出）技术，支持整片连续高速读取。

下发烧录 / 擦除指令后，芯片内置自动烧录、自动擦除算法会自动完成对应页面、扇区或存储块的烧录 / 擦除，并校验操作结果。

烧录操作支持单字节、整页（256 字节）、字宽三种粒度；擦除操作支持扇区（4KB）、32KB 存储块、64KB 存储块或整片擦除。

芯片内置状态寄存器，简化用户开发对接；下发读状态指令后，可通过 WIP 位判断烧录、擦除操作是否完成。

芯片配备多级高级安全防护机制，详细说明请参阅安全特性章节。

芯片无操作、且 CS# 置高电平时，将进入待机低功耗模式。

MX25L25635F 采用旺宏自研存储单元工艺，芯片可稳定保存数据，典型擦写循环寿命可达 10 万次。