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MX25U51271GXDI4G

MX25U51271GXDI4G
产品型号:MX25U51271GXDI4G
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :512Mbit
电压-电源:1.65V-2V
规格封装:24-Ball BGA(5x5 ball array)
说明书:点击下载
其他介绍

X25U51271G 1.8V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U51271GXDI4G Serial NOR Flash芯片特点

一、概述

(一)软件特性

支持串行外设接口(SPI)- 模式 0 和模式 3

输入数据格式:1 字节命令码

单电源供电运行:读写、擦除和编程操作的供电电压为 1.65-2.0 伏

先进的安全特性:

块锁定保护:BPO-BP3 位与 T/B 状态位可定义受保护区域,防止该区域被执行编程和擦除指令

当一次性可编程(OTP)写保护选择位(WPSEL)=1 时,支持先进的扇区保护

额外的 8K 位安全 OTP 存储区

具备唯一标识符

出厂时已锁定且可识别,用户可进一步锁定

协议支持:单 I/O、双 I/O 和四 I/O 模式

命令复位功能

支持高速 SPI 模式读取:

支持的时钟频率最高可达 166MHz

支持编程 / 擦除暂停与恢复操作

支持快速读取(Fast Read)、2 线读取(2READ)、双 I/O 读取(DREAD)、四 I/O 读取(4READ)、四 I/O 快速读取(QREAD)指令

支持双倍传输速率(DTR)模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 在系统执行(XIP)

电子标识:

符合 JEDEC 标准,含 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 指令,可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 指令,可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

支持四外设接口(QPI)

上电或复位后,所有动态保护位(DPB)默认值为 0

四使能位(QE 位)永久固定:QE=1,四 I/O 模式始终使能

(二)硬件特性

串行时钟输入(SCLK Input):串行时钟输入端

SI/SIO0:串行数据输入端;在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

SO/SIO1:串行数据输出端;在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

SIO2:在 4 线 I/O 读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

SIO3:在 4 线 I/O 读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

硬件复位引脚(RESET#)

存储结构:

536,870,912×1 位

或 268,435,456×2 位(双 I/O 模式)

或 134,217,728×4 位(四 I/O 模式)

存储分区:

均等的 4K 字节扇区

或均等的块,每块为 32K 字节或 64K 字节

任意块均可单独擦除

编程特性:

256 字节页缓冲器

支持四 I/O 页编程(4PP),以提升编程性能

可靠性:

典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

数据保留期为 20 年

抗闩锁能力:在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内,可承受 100mA 电流而不发生闩锁

二、封装

Z4: 8-WSON (8x6mm, 3.4 x 4.3 EP)

XD:24-Ball BGA(5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素

MX25U51271GXDI4G串行NOR闪存芯片概述

MX25U51271G 是一款容量为 512 兆位(Mbit)的串行 NOR 闪存,其内部配置为 67,108,864×8 位结构。当工作在双 I/O 或四 I/O 模式时,存储结构会分别变为 268,435,456 位 ×2 或 134,217,728 位 ×4。

MX25U51271G 具备串行外设接口(SPI)和专用软件协议,在单 I/O 模式下,可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为:时钟输入端(SCLK)、串行数据输入端(SI)和串行数据输出端(SO)。通过片选信号(CS#)输入可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入与数据输出;当工作在四 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚同样会变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,承担地址 / 虚拟位输入与数据输出的功能。

MX25U51271G 搭载的 MXSMIO®(串行多 I/O)技术,支持对整个芯片进行连续读取操作。当发送编程 / 擦除命令后,器件会自动执行编程 / 擦除算法,对指定的页或扇区 / 块地址完成编程 / 擦除操作并进行校验。其中,编程命令可按字节、按页(256 字节)或按字执行;擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作,该器件内置了状态寄存器,用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令,可借助忙标志位(WIP 位)检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件具备先进的安全特性,可增强存储保护与安全功能,更多详情请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号(CS#)为高电平时,器件将进入待机模式。

MX25U51271G 采用旺宏电子(Macronix)专有的存储单元技术,即便经过 100,000 次编程与擦除循环后,仍能可靠地保存存储内容。

MX25U51271GXDI4G引脚图

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