MX25L6436FM2I-08G芯片型号介绍:
MX25L6436F,3V,64M-BIT[x1/x2/x4]CMOS MXSMIO®(串行多输入/输出)快闪存储器
主要特点
•特殊块保护级别
•多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O
•保持功能
•程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复
1.特点
上将
•支持串行外围接口——模式0
和模式3
•67108864 x 1位结构
或33554432 x 2位(双I/O读取模式)
结构
或16777216 x 4位(四I/O模式)结构
•2048个相等的扇区,每个扇区4K字节
-任何扇区都可以单独擦除
•256个相等的块,每个块32K字节
-任何块都可以单独擦除
•128个相等的块,每个块64K字节
-任何块都可以单独擦除
•电源操作
-2.65至3.6伏用于读取、擦除和编程
活动
•从-1V到Vcc的100mA锁存保护
+1V
性能
•高性能
VCC=2.65~3.6V
-正常读取
-50MHz
-快速阅读
-快速阅读、穿衣、快速阅读:133MHz
8个虚拟循环
-2READ:80MHz,4个虚拟周期,
133MHz,8个虚拟周期
-4READ:80MHz,具有6个虚拟周期,
133MHz,10个虚拟周期
-可配置的虚拟循环数
2前进和4前进操作
-8/16/32/64字节环绕式突发读取
模式
•低功耗
•典型的100000次擦除/编程周期
•20年数据保留
软件功能
•输入数据格式
-1字节命令代码
•高级安全功能
-特殊块锁保护
BP0-BP3和T/B状态位定义了
要防止编程和擦除的区域
说明书
•额外的8K位安全OTP
-具有唯一标识符
-工厂锁定可识别,客户可锁定
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除并验证选定位置的数据
部门
-在选定位置自动编程和验证数据
通过内部算法自动分页
乘以编程脉冲宽度(任何要编程的页面都应该首先使页面处于擦除状态。)
•状态寄存器功能
•命令重置
•程序/擦除暂停
•编程/擦除简历
•电子身份识别
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
-1字节设备ID的RES命令
•支持串行闪存可发现参数(SFDP)
模式
硬件功能
•SCLK输入
-串行时钟输入
•硅/二氧化硅
-2 x I串行数据输入或串行数据输入/输出/
O模式或4 x I/O模式的串行数据输入/输出
•SO/SIO1
-2 x串行数据输出或串行数据输入/输出
4 x I/O模式的I/O模式或串行数据输入/输出
•WP#/SIO2
-硬件写保护或串行数据输入/输出
4 x I/O模式
•保持#/SIO3
-暂停设备而不取消选择设备,或4 x I/O模式的串行数据输入/输出
•包装
-8针SOP(200mil)
-所有设备均符合RoHS标准,不含卤素
2.概述
MX25L6436F是64Mb位串行NOR闪存,内部配置为8388608 x 8。当它是在四I/O模式下结构变为16777216位x4。当它处于双I/O模式时,结构变为33554432比特x2。
MX25L6436F具有串行外围接口和软件协议,允许在简单的3线上运行总线,而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。
MX25L6436F,MXSMIO®(串行多I/O)闪存,在整个芯片上提供顺序读取操作以及多I/O功能。
当它处于四输入/输出模式时,SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行字节)为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态可以发出读取命令,通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。
当设备未运行且CS#为高时,它将进入待机模式。
MX25L6436F采用Macronix专有的存储单元,即使在100000次编程和擦除周期
文档
图片
1583/10000
实时翻译
6.数据保护
在电源转换过程中,可能会出现一些错误的系统级信号,导致无意中擦除或
编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。
通电期间,状态机将自动重置为待机模式。此外,控制寄存器
设备的架构限制了内存内容只能在特定命令后更改
序列已成功完成。
下面,有几个功能可以保护系统在VCC期间免受意外写入周期的影响
通电和断电或系统噪声。
•有效命令长度检查:将检查命令长度是否以字节为基
在字节边界上完成。
•写入启用(WREN)命令:在之前需要WREN命令来设置写入启用锁存位(WEL)
其他更改数据的命令。
•深度断电模式:通过进入深度断电模式,闪存设备也会受到保护
写入除从深度断电模式释放命令(RDP)和读取电子命令之外的所有命令
签名命令(RES)。
I.闭锁保护
-软件保护模式(SPM)使用(TB、BP3、BP2、BP1、BP0)位来允许部分内存
保护为只读。保护区定义如“表1”所示。保护区面积”
保护区更灵活,可以通过设置TB、BP0-BP3比特的值来保护各种区域。
-硬件保护模式(HPM)使用WP#/SIO2保护(BP3、BP2、BP1、BP0、TB)位和
SRWD位。

