MX35LF1GE4AB-Z4I

产品型号：MX35LF1GE4AB-Z4I

制造商：MXIC（旺宏电子）

价格：￥5.28

温控范围：（-40℃ to +85℃）

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8x6mm 8-WSON 3.4X4.3EP

IC说明书：点击下载

其他介绍

MX35LF1GE4AB-Z4I芯片介绍：

1gb位串行NAND闪存MX35LF1GE4AB

特性1Gb SLC NAND Flash -总线： x4页面大小：（2048+64）字节块大小：（128K+4K）字节快速读取-支持随机数据读出x1 x2和x4模式，（1-1-1,1-1-1-1-4）数组延迟： 25usNote1 -频率： 104MHz页面程序操作-页面程序时间：300我们（类型）注意1块擦除操作-块擦除时间：1 ms（typ）。•单电压操作：- VCC：2.7至3.6V*块组保护低功耗损耗-最大30 mA主动电流（读取/程序/擦除）睡眠模式-50uA（最大）备用电流高可靠性注3-程序/消除寿命：典型100K循环（内部4位ECC每（512+16）字节-数据保留：10年宽温度工作范围-40°至+85°C至+85°包：8-WSON（8x6mm）所有封装设备均符合RoHS且无卤素。注1。如果内部ECC功能被打开，请参考tRD_ECC和tPROG_ECC规范。注2。它指示命令、地址和数据的I/O的数量。注3。有关擦除/程序周期和数据保留压力测试的详细信息，请参阅可靠性报告。

MX35LF1GE4AB是一个1Gb的SLC NAND闪存设备。该设备的内存阵列采用了与并行NAND相同的单元体系结构，但实现了行业标准的串行接口。在芯片中实现了一个内部的4位ECC逻辑，这是默认启用的。可以通过命令禁用或再次启用内部ECC。当内部4位ECC逻辑被禁用时，主机端需要通过主机微控制器处理4位ECC。

1.特点

•1Gb/2Gb SLC NAND闪存

-巴士：x4

-页面大小：（2048+64）字节

-块大小：（128K+4K）字节

•快速读取访问

-支持x1、x2和x2读取的随机数据

x4模式，（1-1-1，1-2，1-1/4）注2

-数组注册延迟：25usNote1

-频率：104MHz

•页面程序操作

-页面编程时间：300us（典型值）注1

•阻止擦除操作

-块擦除时间：1ms（典型值）

•单电压操作：

-VCC：2.7至3.6V

•用于块组保护的BP位

•低功耗

-最大30mA

有效电流（读取/编程/擦除）

•睡眠模式

-50uA（最大）待机电流

•高可靠性

-编程/擦除耐久性：典型的100K循环

（每（512+16）字节具有内部4位ECC

-数据保留期：10年

•宽温度工作范围

-40°C至+85°C

•包装：

1） 8-WSON（8x6mm），用于1Gb

2） 2Gb的16-SOP（300mil）

所有封装设备均符合RoHS标准

无卤素。

注1。请参阅tRD_ECC和

tPROG_ECC规格（如果是内部ECC）

功能已打开。

注2。它表示的I/O数量

命令、地址和数据

2.概述

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb SLC NAND闪存设备。

然而，该器件的存储器阵列采用了与并行NAND相同的单元架构

实现行业标准串行接口。

芯片中实现了默认启用的内部4位ECC逻辑。内部ECC可以是

通过命令禁用或重新启用。当内部4位ECC逻辑被禁用时，主机侧需要

通过主机微控制器处理4位ECC。

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