MX35LF1GE4AB-Z4I

产品型号：MX35LF1GE4AB-Z4I

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-WSON (8x6mm)

说明书：点击下载

产品介绍

MXIC(旺宏电子)MX35LF1GE4AB-Z4I 3V Serial NAND Flash芯片芯片介绍：

3V, 1Gb-bit Serial NAND Flash Memory MX35LF1GE4AB

1. 特性

・1Gb 单阶存储单元（SLC）NAND 闪存

总线：x4

页大小：（2048+64）字节

块大小：（128K+4K）字节

・快速读取访问

支持 x1、x2 及 x4 模式下的随机数据读出（1-1-1、1-1-2、1-1-4）（注 2）

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）（注 1）

频率：104MHz

・页编程操作

页编程时间：典型值 300 微秒（μs）（注 1）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 1 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：2.7~3.6 伏（V）

・用于块组保护的 BP 位

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

・休眠模式

待机电流：最大 50 微安（μA）

・高可靠性（注 3）

编程 / 擦除寿命：每（512+16）字节数据搭配内部 4 位纠错码（ECC）时，典型值为 10 万次循环

数据保留期：10 年

・宽工作温度范围-40°C ~ +85°C

封装：

8-WSON (8x6mm)

所有封装设备均符合RoHS标准无卤素。

MX35LF1GE4AB-Z4I 3V Serial NAND Flash芯片概述

MX35LF1GE4AB 是一款采用串行接口、容量为 1Gb 的单阶存储单元（SLC）NAND 闪存器件。

该器件的存储阵列采用与并行 NAND 闪存相同的单元架构，同时配备了行业标准的串行接口。

芯片内部集成了 4 位纠错码（ECC）逻辑，默认处于使能状态。通过指令可禁用或重新使能该内部 ECC 功能：当内部 4 位 ECC 逻辑被禁用时，需由主机端的微控制器负责处理 4 位 ECC 相关操作。

MX35LF1GE4AB-Z4I逻辑框图

MX35LF1GE4AB-Z4I引脚图

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