MX25R8035F

MX25R8035F ULTRA LOW POWER, 8M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)Wide Range VCC Serial NOR Flash (1.65V-3.6V)MX25R8035F 是一款 8Mb 的串行 NOR 闪存，特点：

存储结构：内部配置为1,048,576×8

在四 I/O 模式下，其结构可变为

2,097,152bits×4或者 4,194,304bits×2

接口模式与引脚功能：在单 I/O 模式下，通过串行外设接口和软件协议，能在简单的三线总线上运行，三线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO），芯片串行访问由 CS# 输入来开启。在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入以及数据输出。当处于四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 RESET#/HOLD# 引脚则成为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，以进行地址 / 虚拟位输入和数据输出 。

读取操作：MX25R8035F 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作 。

编程与擦除：发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，以对指定的页或扇区、块位置进行编程、擦除及验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或者字为基础来执行，擦除命令则能够基于 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或者整个芯片来实施 。

状态监测：器件设有状态寄存器用于指示芯片状态，用户可发出状态读取命令，通过 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

耐用性：采用了 Macronix 公司专有的存储单元，即便经历 100,000 次的编程和擦除循环，也能可靠地存储内容 。

特性

超低功耗 8M 位 [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO®（串行多 I/O）闪存

概述

・支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

・8,388,608×1 位结构，或 4,194,304×2 位（双 I/O 模式）结构，或 2,097,152×4 位（四 I/O 模式）结构

・含多个相等的扇区（每个 4K 字节），或多个相等的块（每个 32K/64K 字节）

任何块均可单独擦除

・单电源供电

工作电压：读取、擦除和编程操作均为 1.65V-3.6V

・具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能

・高性能

快速读取

1 路 I/O：108MHz，带 8 个虚拟周期

2 路 I/O：104MHz，带 4 个虚拟周期，等效于 208MHz

4 路 I/O：104MHz，带 2+4 个虚拟周期，等效于 416MHz

快速的编程和擦除时间

8/16/32/64 字节循环突发读取模式

・超低功耗

・至少 100,000 次擦除 / 编程循环

・20 年数据保留期

软件特性

・输入数据格式

1 字节命令代码

・高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位定义了通过软件保护以防编程和擦除指令的区域大小

・额外的 8K 位安全 OTP（一次性可编程）

具有唯一标识符

出厂锁定可识别，且可由客户锁定

・自动擦除和自动编程算法

自动擦除并验证所选扇区或块的数据

通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法会自动控制编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

・状态寄存器功能

・命令重置

・编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复

・电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 命令用于获取 1 字节器件 ID

REMS 命令用于获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

・支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

Macronix串行多I/O（MXSMIO™）闪存不仅提供单I/O，还提供多I/O接口。MX66xxx35或MX25xxx33/35/39/73/75系列提供双I/O或四I/O操作，可将高端消费应用系统的读取性能提高一倍或四倍。

MX25R8035F芯片封装规格参数：

MX25R8035F系列不同封装规格