MX25UM51345GXDI00

MX25UM51345G 1.8V 512M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UM51345GXDI00 Serial NOR Flash芯片特点

1. 产品特性

基础通用特性

支持串行外设接口 —— 模式 0

单电源供电运行

读取、擦除、编程工作电压范围：1.65V ~ 2.0V

存储容量 512Mb：

两种存储架构：536870912×1 位架构 / 八路输入输出模式下 67108864×8 位架构

通信协议支持

兼容单路 I/O、八路 I/O

支持双倍数据速率（DTR）模式

闩锁防护：在 - 1V 至电源电压 Vcc+1V 电压区间，可承受 100mA 电流

支持高频时钟：

单路 I/O 模式：最高 133MHz

八路 I/O 模式：最高 200MHz

八路外设接口（OPI）读取操作可配置空周期数

搭载八路外设接口（OPI）

存储区块规格

扇区统一为 4KB；存储块统一为 64KB

任意存储块可独立擦除

编程相关参数

内置 256 字节页缓存

八路输入输出页编程，提升编程速度

典型擦写循环寿命：10 万次

数据保存年限：20 年

软件特性

输入数据格式

SPI 接口：单字节指令码

OPI 接口：双字节指令码

DOPI 输出数据格式：字节模式数据序列

高级安全防护功能

存储块锁定保护

由 BP0~BP3、T/B 状态位划定受保护存储区域，禁止对该区域下发编程、擦除指令

高级扇区保护（硬件固化锁定 + 密码锁定双重防护）

额外配置 8Kbit 安全一次性可编程（OTP）存储区

内置唯一设备识别码，出厂自带锁定识别，同时支持用户自主加密锁定

操作功能

指令硬件复位

编程 / 擦除暂停、恢复操作

电子设备识别

遵循 JEDEC 标准：1 字节厂商识别码 + 2 字节器件识别码

支持串行闪存可发现参数（SFDP）标准模式

硬件特性

SCLK 输入

—— 串行时钟输入

SI0～SI7

—— 串行数据输入 / 输出引脚

DQS

—— 数据选通信号

RESET#

—— 硬件复位引脚

封装形式（PACKAGE）

- 24-Ball BGA (5x5 ball array)

- 16-Pin SOP

- 68-Ball WLCSP

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素（Halogen-free）

MX25UM51345GXDI00串行NOR闪存芯片概述

MX25UM51345G 是一款 512Mb 八路接口串行 NOR 闪存，内部存储架构为 67108864×8 位。MX25UM51345G 搭载串行外设接口及配套软件协议，工作在单路 I/O 模式时可通过简易三线总线完成通信。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO），由片选引脚 CS# 控制芯片串行读写使能。

这款八路闪存支持整片连续读取操作。

下发编程 / 擦除指令后，芯片将自动运行内置编程、擦除及校验算法，对指定页、扇区或区块执行对应操作。编程可按字节、字或整页（256 字节）执行；擦除支持按扇区（4KB）、区块（64KB）或整片擦除。

芯片内置状态寄存器，方便用户调试对接。可发送状态读取指令，通过 WP 位判断编程或擦除操作是否完成。

芯片无读写操作且片选引脚 CS# 为高电平时，器件进入待机模式。

MX25UM51345G 采用旺宏电子自研存储单元，历经 10 万次擦写循环后仍可稳定保存数据。