MX29GL320EBXEI-70G

产品型号：MX29GL320EBXEI-70G

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：32Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：48 Pin TSOP

说明书：点击下载

产品介绍

MX29GL320E T/B, SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX29GL320EBXEI-70G 3V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

电源工作范围：读、擦除、编程操作工作电压 2.7V~3.6V

输入输出电压必须与电源电压严格匹配，输入输出电压等于电源电压，范围：2.7V~3.6V

可切换字节 / 字工作模式：4194304×8 位 / 2097152×16 位

扇区架构

MX29GL320E T/B 型：63 个 32K 字（64KB）主扇区 + 8 个 4K 字（8KB）启动扇区

MX29GL320E H/L 型：64 个 32K 字（64KB）统一规格扇区

16 字节 / 8 字页读取缓存

32 字节 / 16 字写入缓存

额外 128 字安全专用扇区：出厂锁定可标识，支持用户自定义锁定

高级扇区保护功能（永久保护 + 密码保护）

闩锁防护能力：-1V 至 1.5 倍电源电压范围内，抗 100mA 闩锁电流

低电压写保护：电源电压低于锁定阈值时禁止写入

符合 JEDEC 标准：引脚定义及软件指令兼容单电源闪存器件

支持深度掉电休眠模式

性能参数

高性能

高速存取时间：70 纳秒

页读取时间：25 纳秒

快速编程时间：10 微秒 / 字

快速擦除时间：0.5 秒 / 扇区

低功耗

工作读取电流：5MHz 频率下典型值 10 毫安

待机静态电流：典型值 20 微安

擦除 / 编程循环寿命：典型 10 万次

数据保存年限：20 年

软件特性

编程 / 擦除暂停与恢复

可暂停当前扇区擦除，对其他未擦除扇区进行读数据或编程写入

可暂停当前扇区编程，读取其他非编程扇区数据

状态反馈机制：数据轮询与翻转位信号，可检测编程、擦除操作是否完成

兼容通用闪存接口（CFI）标准

硬件特性

就绪 / 忙状态输出引脚（RY/BY#）：硬件信号方式检测编程、擦除操作完成状态

硬件复位输入引脚（RESET#）：可通过硬件复位将内部状态机强制切回读模式

写保护 / 加速控制输入引脚（WP#/ACC）：硬件写保护引脚，同时支持编程加速功能

MX29GL320E T/B 型：引脚为低电平时，保护顶部或底部两个扇区

MX29GL320E H/L 型：引脚为低电平时，保护首个或末尾扇区

封装形式（PACKAGE）：

MX29GL320E T/B

- 48-pin TSOP

- 48-ball LFBGA (6x8mm)

MX29GL320E H/L

- 56-pin TSOP

- 64-ball LFBGA (11x13mm)

MX29GL320EBXEI-70G产品订购信息

MX29GL320EBXEI-70G引脚封装图

MX29GL320EBXEI-70G功能框图

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