MX29GL128EHMC-90G

产品型号：MX29GL128EHMC-90G

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：128Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：70 Pin SSOP

说明书：点击下载

产品介绍

MX29GL128E SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX29GL128EHMC-90G 3V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

工作电源

读、擦除、编程操作工作电压：2.7～3.6V

MX29GL128E H/L 型：输入 / 输出电压 = 电源电压 = 2.7V~3.6V，输入 / 输出电压必须与电源电压严格匹配

MX29GL128E U/D 型：输入 / 输出接口电压范围 1.65V～3.6V

字节 / 字模式可切换

容量规格：16777216×8 位 / 8388608×16 位

统一扇区架构

每扇区 64 千字 / 128 千字节，共 128 个等容量扇区

页读取缓存：16 字节 / 8 字

页写入缓存：64 字节 / 32 字

额外 128 字安全扇区

出厂锁定且可识别，支持用户自行锁定

高级扇区保护功能：硬件固化保护 + 密码保护

闩锁防护：-1V 至 1.5 倍电源电压范围内，抗 100mA 闩锁电流

低电压写禁止：电源电压≤低压锁定阈值时禁止写入

符合 JEDEC 标准

引脚定义及软件指令兼容单电源供电闪存芯片

深度休眠功耗模式

性能参数

高性能

高速存取时间：

MX29GL128E H/L：90 纳秒（电源 2.7~3.6V）

MX29GL128E U/D：110 纳秒（电源 2.7~3.6V，IO 电压 1.65V~VCC）

页读取时间：

MX29GL128E H/L：25 纳秒

MX29GL128E U/D：30 纳秒

快速编程时间：10 微秒 / 字

快速擦除时间：0.5 秒 / 每扇区

低功耗

5MHz 下典型读取工作电流：10 毫安

典型待机电流：20 微安

擦写寿命：典型 10 万次擦除 / 编程循环

数据保存年限：20 年

软件功能特性

编程 / 擦除暂停与恢复

可暂停当前扇区擦除，对其他未擦除扇区进行读数据或编程写入；

可暂停当前扇区编程，读取其他非编程扇区数据。

状态反馈机制

通过数据轮询及翻转位，检测编程、擦除操作是否完成。

支持通用闪存接口（CFI）

硬件功能特性

就绪 / 忙状态输出引脚（RY/BY#）

硬件方式检测编程、擦除操作完成状态。

硬件复位输入引脚（RESET#）

硬件复位内部状态机，强制切换至读模式。

WP#/ACC 复用输入引脚

兼具硬件写保护功能，同时支持加速编程模式。

封装形式（PACKAGE）：

T2:56-TSOP

M: 70 SSOP

XF: LFBGA (11mm x 13mm)

XC: FBGA(10mm x 13mm)

MX29GL128EHMC-90G产品信息订购

MX29GL128EHMC-90G引脚封装图

MX29GL128EHMC-90G功能框图

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