MX25L6433FM2Q-09Q

MX25L6433F- J/K Grade 3V, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L6433FM2Q-09Q Serial NOR Flash芯片型号的主要功能：

主要特性

J 等级（工作温度：-40°C ～ 105°C）

K 等级（工作温度：-40°C ～ 125°C）

保持功能

支持多种 I/O 模式 —— 单 I/O、双 I/O 及四 I/O

自动擦除与自动编程算法

编程挂起 / 恢复 & 擦除挂起 / 恢复

1. 特性

概述

支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 和模式 3

存储结构：

67,108,864 × 1 位

或 33,554,432 × 2 位（双线 I/O 读模式）

或 16,777,216 × 4 位（四线 I/O 模式）

2048 个相等扇区，每扇区 4K 字节 ——任意扇区可单独擦除

256 个相等块，每块 32K 字节 ——任意块可单独擦除

128 个相等块，每块 64K 字节 ——任意块可单独擦除

电源工作特性

读、擦除、编程操作：2.65–3.6V

抗闩锁保护：-1V 至 VCC+1V 范围内可耐受 100mA

支持性能增强模式 ——XIP 片内执行模式

SPI 快速读取

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

快速读取操作可配置空周期数量

编程特性

编程：256 字节页缓冲

最小擦写寿命：100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

输入数据格式：1 字节指令码

高级安全特性

块锁定保护通过 BP0～BP3 位和 T/B 状态位定义受保护区域大小，禁止对该区域执行编程与擦除指令。

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）区域

具备唯一标识符（UID）

出厂锁定可识别，支持客户自行锁定

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区执行擦除并校验

通过内部算法自动控制编程脉冲宽度，对指定页执行编程并校验

（待编程的页必须先处于擦除状态。）

状态寄存器功能

指令复位

编程 / 擦除挂起

编程 / 擦除恢复

电子识别

JEDEC 标准：1 字节制造商 ID + 2 字节器件 ID

通过 RES 指令读取 1 字节器件 ID

支持 ** 串行闪存可发现参数（SFDP）** 模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3

在不取消片选的情况下暂停器件操作；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

封装形式

M:300mil 16-SOP

M2: 200mil 8-SOP

ZN: 6x5mm 8-WSON

Z2: 8x6mm 8-WSON

XD: 6x8mm 24-ball TFBGA (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

2. MX25L6433FM2Q-09Q NOR Flash芯片概述

MX25L6433FM2Q-09Q是一款 64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 × 8 位。在四线 I/O 模式下，存储结构变为 16,777,216 × 4 位；在双线 I/O 模式下，存储结构变为 33,554,432 × 2 位。

MX25L6433F 采用串行外设接口及软件协议，在单线 I/O 模式下可通过简单的三线总线工作。三路总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可使能对器件的串行访问。

MX25L6433F 属于 MXSMIO®（串行多 I/O）闪存，支持全芯片连续读取操作及多 I/O 功能。

在四线 I/O 模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 HOLD# 引脚分别转为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚，用于地址 / 空周期输入以及数据输入输出。

当发出编程 / 擦除指令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块进行编程 / 擦除并校验。编程操作可按字节或按页（256 字节）执行；

擦除操作可按 4K 字节扇区、32K 字节 / 64K 字节块 或整片执行。

为方便用户使用，器件内置状态寄存器用于指示芯片状态。可通过读取状态指令，利用 WIP 位 检测编程或擦除操作是否完成。

当器件未处于工作状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25L6433F 采用旺宏（Macronix）专利存储单元，即使经过 100,000 次 编程擦除周期后，仍可可靠保存数据。

配置寄存器

配置寄存器可用于修改闪存的默认状态。设置配置寄存器（CR）相应位后，闪存将按设定进行配置。

ODS 位

输出驱动强度（ODS）位为易失性位，用于设置器件的输出驱动等级。器件出厂时，输出驱动强度默认值为 1。写入 ODS 位需要执行 ** 写状态寄存器（WRSR）** 指令。

TB 位

顶 / 底部（TB）位为OTP 位。TB 位用于配合 BP 位（BP3、BP2、BP1、BP0）配置块保护区域，决定保护区域从存储阵列的顶部还是底部开始。

TB 位默认值为 0：表示保护顶部区域

TB 位设置为 1：表示保护底部区域

写入 TB 位需要执行 ** 写状态寄存器（WRSR）** 指令。