MX25R512FBFIL0

MX25R512F ULTRA LOW POWER, 512K-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25R512FBFIL0 Serial NOR Flash芯片特点：

通用特性（GENERAL）

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0（Mode 0）和模式 3（Mode 3）

存储结构可选：524,288×1 位、262,144×2 位（双 I/O 模式，two I/O mode）或 131,072×4 位（四 I/O 模式，four I/O mode）

存储分区可选：

等大小扇区（Equal Sectors），每扇区 4KB；

等大小块（Equal Blocks），每块 32KB 或 64KB

任意块均可单独擦除（Any Block can be erased individually）

单电源供电（Single Power Supply Operation）

工作电压（Operation Voltage）：读、擦除、编程操作均为 1.65V-3.6V

具备闩锁保护功能（Latch-up protected）：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

性能特性（PERFORMANCE）

高性能（High Performance）

快速读取（Fast read）

1 路 I/O（1 I/O）：108MHz 时钟频率，支持 8 个虚拟周期（8 dummy cycles）

2 路 I/O（2 I/O）：108MHz 时钟频率，支持 4 个虚拟周期（4 dummy cycles），等效速率 208MHz

4 路 I/O（4 I/O）：104MHz 时钟频率，支持 2+4 个虚拟周期（2+4 dummy cycles），等效速率 416MHz

快速编程与擦除时间（Fast program and erase time）

支持 8/16/32/64 字节回绕突发读取模式（8/16/32/64 byte Wrap-Around Burst Read Mode）

超低功耗（Ultra Low Power Consumption）

最少 100,000 次擦除 / 编程循环（Minimum 100,000 erase/program cycles）

20 年数据保持期（20 years data retention）

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式（Input Data Format）

1 字节命令码（1-byte Command code）

高级安全特性（Advanced Security Features）

块锁定保护（Block lock protection）：BP0-BP3 状态位用于定义受软件保护的区域范围，该区域可抵御编程和擦除指令（The BP0-BP3 status bit defines the size of the area to be software protection against program and erase instructions）

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区（Additional 8K bits secured OTP）

具备唯一标识符功能（Features unique identifier）

出厂时已锁定（可识别），客户可进一步锁定（Factory locked identifiable and customer lockable）

自动擦除与自动编程算法（Auto Erase and Auto Program Algorithm）

自动对选定扇区或块执行擦除并验证数据（Automatically erases and verifies data at selected sector or block）

通过内部算法自动对选定页执行编程并验证数据，该算法可自动控制编程脉冲宽度（Automatically programs and verifies data at selected page by an internal algorithm that automatically times the program pulse widths）

注：待编程的页需先处于擦除状态（Any page to be programmed should have page in the erased state first）

状态寄存器功能（Status Register Feature）

命令复位（Command Reset）

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复（Program/Erase Suspend and Program/Erase Resume）

电子标识（Electronic Identification）

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID（manufacturer ID）和 2 字节器件 ID（device ID）

RES 命令：用于读取 1 字节器件 ID（1-byte Device ID）

REMS 命令：用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID（1-byte manufacturer ID and 1-byte device ID）

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式（Support Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP) mode）

支持唯一 ID（Support Unique ID）

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

・SCLK 输入（SCLK Input）

串行时钟输入（Serial clock input）

・SI/SIO0 引脚

串行数据输入（Serial Data Input）；在 2 路 I/O 读取模式（2 x I/O read mode）和 4 路 I/O 读取模式（4 x I/O read mode）下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

・SO/SIO1 引脚

串行数据输出（Serial Data Output）；在 2 路 I/O 读取模式（2 x I/O read mode）和 4 路 I/O 读取模式（4 x I/O read mode）下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

・WP#/SIO2 引脚

硬件写保护（Hardware write protection）；在 4 路 I/O 读取模式（4 x I/O read mode）下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

・RESET#/SIO3 * 或 HOLD#/SIO3 * 引脚

功能一：硬件复位引脚（Hardware Reset pin）；在 4 路 I/O 读取模式（4 x I/O read mode）下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

或

功能二：保持（HOLD）功能 —— 可暂停器件工作且无需取消器件选中状态（to pause the device without deselecting the device）；在 4 路 I/O 读取模式（4 x I/O read mode）下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

具体功能取决于器件型号选项（Depends on part number options）

封装规格：

M1:8-SOP (150mil)）

O: 8-TSSOP (173mil)

ZU:8-USON (2x3mm)

BF:3-2-3 8-WLCSP

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

MX25R512FBFIL0 Serial NOR Flash芯片概述：

MX25R512F是一款 512Kb（千位）容量的串行NOR闪存，其内部存储结构配置为 65,536×8 位。当工作在四 I/O 模式（four I/O mode）下时，存储结构会变为131,072 位 ×4 或 262,144 位 ×2。

MX25R512F具备串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）和软件协议，在单 I/O 模式（single I/O mode）下，可通过简单的三线总线（3-wire bus）实现操作。三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）信号，可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式（two I/O read mode）时，SI 引脚和 SO 引脚会分别切换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位（dummy bits）输入和数据输出；当工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚以及 RESET#/HOLD# 引脚会分别切换为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，同样用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25R512F搭载的 MXSMIO®（串行多 I/O，Serial Multi I/O）技术，支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件会执行自动编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（page）或扇区 / 块（sector/block）位置执行编程 / 擦除操作，并进行数据验证。其中，编程命令可基于字节（byte）、页（256 字节）或字（word）执行；擦除命令可基于 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了状态寄存器（status register），用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写操作进行中”（WIP）位，检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件具备增强型保护与安全功能的高级安全特性，详细信息请参见 “安全特性” 章节。

MX25R512F采用旺宏（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。