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MX25R1635FM1IL0

MX25R1635FM1IL0
产品型号:MX25R1635FM1IL0
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :16Mbit
电压-电源:1.65V-3.6V
规格封装:8-SOP (150mil)
说明书:点击下载
产品介绍

MX25R1635F ULTRA LOW POWER, 16M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MX25R1635FM1IL0 芯片特性:

超低功耗 16 兆位 [x1/x2/x4] 互补金属氧化物半导体(CMOS)MXSMIO®(串行多输入 / 输出)闪存存储器

通用特性

支持串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)—— 模式 0 和模式 3

有三种存储结构:16,777,216×1 位结构、8,388,608×2 位(双输入 / 输出模式)结构、4,194,304×4 位(四输入 / 输出模式)结构

包含多种等容量存储单元:每扇区 4 千字节(4K byte)、每块 32 千字节(32K byte)或每块 64 千字节(64K byte)

任意块均可单独擦除

单电源供电

工作电压:读取、擦除和编程操作时为 1.65V-3.6V

具备闩锁保护功能,在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内,可承受 100 毫安(mA)电流性能特性

高性能

快速读取

1 输入 / 输出:80 兆赫兹(MHz),含 8 个虚拟周期

2 输入 / 输出:80 兆赫兹(MHz),含 4 个虚拟周期,等效于 160 兆赫兹(MHz)

4 输入 / 输出:80 兆赫兹(MHz),含 2+4 个虚拟周期,等效于 320 兆赫兹(MHz)

快速编程与擦除时间

支持 8/16/32/64 字节回绕突发读取模式(Wrap-Around Burst Read Mode)

超低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保持期

软件特性

输入数据格式

1 字节(byte)命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位用于定义受软件保护的区域范围,防止该区域被执行编程和擦除指令

额外 8 千位(8K bits)安全一次性可编程(OTP)存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定标识符,用户可对存储区进行锁定

自动擦除与自动编程算法

可通过内部算法自动对选定扇区或块执行擦除并验证数据

可通过内部算法自动对选定页面执行编程并验证数据(该算法会自动控制编程脉冲宽度)(注:待编程的页面需先处于擦除状态)

状态寄存器功能

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复功能

电子标识

符合 JEDEC 标准:1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 命令,可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 命令,可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

支持唯一标识符(Unique ID)

硬件特性:

・串行时钟输入(SCLK Input)

串行时钟输入端

・串行数据输入 / 串行输入输出 0(SI/SIO0)

串行数据输入端;或在 2 路输入 / 输出(2 x I/O)读取模式与 4 路输入 / 输出(4 x I/O)读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

・串行数据输出 / 串行输入输出 1(SO/SIO1)

串行数据输出端;或在 2 路输入 / 输出(2 x I/O)读取模式与 4 路输入 / 输出(4 x I/O)读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

・写保护 / 串行输入输出 2(WP#/SIO2)

硬件写保护端;或在 4 路输入 / 输出(4 x I/O)读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

・复位 / 串行输入输出 3(RESET#/SIO3)* 或 保持 / 串行输入输出 3(HOLD#/SIO3)*

硬件复位引脚;或在 4 路输入 / 输出(4 x I/O)读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

保持(HOLD)功能:可暂停器件工作,且无需取消选中该器件;或在 4 路输入 / 输出(4 x I/O)读取模式下,作为串行数据输入 / 输出端

取决于具体型号选项

封装:

8-pin SOP (150mil/200mil)

8-land USON (2x3mm)

8-land WSON (6x5mm)

12-ball WLCSP (3-2-3 Ball Array)

MX25R1635FM1IL0产品概述:

MX25R1635FM1IL0是一款 16 兆位(16Mb)串行 NOR 闪存,其内部结构配置为 2,097,152×8 位。当工作在四输入 / 输出(4 I/O)模式时,其结构可变为 4,194,304 位 ×4 或 8,388,608 位 ×2。MX25R1635FM1IL0具备串行外设接口(SPI)和软件协议,在单输入 / 输出(1 I/O)模式下,仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作,这三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过片选信号(CS#)输入可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双输入 / 输出(2 I/O)读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚将分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入与数据输出;当工作在四输入 / 输出(4 I/O)读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚(WP#)以及复位 / 保持引脚(RESET#/HOLD#)将分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚,用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

MX25R1635FM1IL0采用的 MXSMIO®(串行多输入 / 输出)技术,支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后,器件将执行自动编程 / 擦除算法,该算法会对指定页面或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作,并对操作结果进行验证。编程命令可按字节、按页面(256 字节)或按字执行;擦除命令可按 4 千字节(4K-byte)扇区、32 千字节(32K-byte)块、64 千字节(64K-byte)块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作,该器件内置了一个状态寄存器,用于指示芯片的工作状态。通过发送状态读取命令,可借助忙状态位(WIP bit)检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件还具备增强型高级安全特性,可提升数据保护与安全防护功能,更多详情请参考 “安全特性” 章节。

MX25R1635FM1IL0采用旺宏电子(Macronix)专有的存储单元技术,即便经过 100,000 次编程与擦除循环后,仍能可靠地保存存储内容。

MX25R1635FM1IL0电路框图

MX25R1635FM1IL0引脚图



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