MX35UF1G14AC-Z4I

1.8V, 1G/2G-bit Serial NAND Flash Memory MX35UFxG14AC

MXIC(旺宏电子)MX35UF1G14AC-Z4I Serial NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

・1Gb/2Gb 单级单元（SLC）NAND 闪存

总线（Bus）：x4

页大小（Page size）：(2048+64) 字节（byte）

块大小（Block size）：(128K+4K) 字节（byte）（注：1K=1024 字节）

・需支持 4 位纠错码（ECC）/528 字节（528B）操作

・快速读取访问（Fast Read Access）

支持 x1、x2 和 x4 模式下的随机数据读出，对应时序为（1-1-1、1-1-2、1-1-4）（参见注释 1，Note 1）

存储阵列到寄存器的延迟（Latency of array to register）：25 微秒（us）

频率（Frequency）：104 兆赫兹（MHz）

・页编程操作（Page Program Operation）

页编程时间（Page program time）：典型值（typ）320 微秒（us）

・块擦除操作（Block Erase Operation）

块擦除时间（Block erase time）：典型值（typ.）1 毫秒（ms）

・单电压供电操作（Single Voltage Operation）：

电源电压（VCC）：1.7 - 1.95 伏特（V）

・用于块组保护的块保护（BP）位（BP bits for block group protection）

・低功耗（Low Power Dissipation）

最大（Max）工作电流（Active current）：30 毫安（mA）（适用于读 / 编程 / 擦除操作，Read/Program/Erase）

・休眠模式（Sleep Mode）

最大（Max）待机电流（standby current）：50 微安（uA）

・高可靠性（High Reliability）

编程 / 擦除耐久性（Program / Erase Endurance）：典型值（Typical）10 万次（100K）循环（在每 (512+16) 字节对应 4 位 ECC 的条件下，with 4-bit ECC per (512+16) Byte）

数据保留期（Data Retention）：10 年（years）

・宽温度工作范围（Wide Temperature Operating Range）

温度范围：-40°C 至 +85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 8-WSON (8mm x 6mm)

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX35UF1G14AC-Z4I SLC NAND 闪存芯片介绍：

MX35UFxG14AC 是一款具备串行接口（Serial interface）的 1Gb/2Gb 容量单级单元（SLC）NAND 闪存（NAND Flash memory）器件。

该器件的存储阵列（memory array）采用了与并行 NAND 闪存相同的单元架构（cell architecture），同时实现了业界标准的串行接口。

此器件要求主机端（host side）的微控制器（micro controller）支持 4 位纠错码（ECC）/528 字节（byte）操作。