MX35UF1GE4AD-Z4I

1.8V 1G-bit/2G-bit/4G-bit Serial NAND Flash Memory MX35UFxGE4AD

MXIC(旺宏电子)MX35UF1GE4AD-Z4I Serial NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

特性

存储容量：1Gb、2Gb、4Gb 串行闪存

独特 ID 读取功能：采用物理不可克隆函数（PUF）型编码结构

总线宽度：x4

低功耗特性：

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 40mA

待机模式：最大 110μA 待机电流

页与块尺寸：

1Gb/2Gb：页尺寸为（2048+64）字节，块尺寸为（128K+4K）字节

4Gb：页尺寸为（4096+128）字节，块尺寸为（256K+8K）字节

快速读取访问：

支持 x1、x2、x4 模式下的随机数据读取（模式包括 1-1-1、1-1-2、1-1-4、1-2-2、1-4-4）

阵列到寄存器的延迟：1Gb/2Gb 型号为 80μs，4Gb 型号为 120μs

支持连续读取

高可靠性：

数据恢复专用读取：通过 “设置特性”（Set Feature）指令启用

编程 / 擦除耐久性：典型值为 60,000 次循环，每（512+32）字节配备 8 位错误校验码（ECC）

灵活的 ECC 位翻转阈值设置：支持用户自定义

支持坏块表（BBM Table）

数据保留期：0 年（注：原文 “ateent:0yars” 推测为拼写误差，应为 “Retention: 0 years”）

工作频率：133MHz（注：原文 “133MHzoe” 推测为拼写误差，应为 “133MHz”）

页编程操作：

页编程时间：1Gb/2Gb 型号典型值为 360μs，4Gb 型号典型值为 400μs

块擦除操作：

块擦除时间：典型值为 4ms

单电压供电：

供电电压（VCC）：1.7V 至 1.95V

块组保护：具备 BP 位（块保护位）功能

宽温度工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 8-WSON (8mm x 6mm)

2) 24-Ball BGA (6x8mm,5x5 ballarray)

3) 8-WLGA (6mm x 5mm)

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX35UF1GE4AD-Z4I SLC NAND 闪存芯片介绍：

MX35UFxGE4AD 是一款采用串行接口、工作电压为 1.8V 的 1Gb/2Gb/4Gb 单层单元（SLC）NAND 闪存器件。

该器件的存储阵列采用与并行 NAND 相同的单元架构，同时兼容行业标准串行接口。

芯片内部集成了 8 位错误校验码（ECC）逻辑，默认处于使能状态。通过指令可禁用或重新使能内部 ECC 功能：当内部 8 位 ECC 逻辑被禁用时，需由主机端的微控制器负责处理 8 位 ECC 相关操作。

该器件支持常规读取模式与连续读取模式：

若配置寄存器中 “CONT” 位设为 “0”，器件将工作在常规读取模式，此时用户必须发送页读取指令才能读取下一页数据，无法跨页直接读取；

若 “CONT” 位设为 “1”，器件则进入连续读取模式，用户无需发送下一页读取指令，即可跨页边界读取连续的页数据。

为降低用户操作复杂度，该器件提供 40 组坏块管理（BBM）链接。这些链接可提供连续的完好块，从而减少软件设计工作量并提升读取吞吐量。此外，用户可通过为单个块分配多组 BBM 链接进行块替换，以提升该单个块的编程 / 擦除（P/E）耐久性：例如，为单个块分配 2 组 BBM 链接进行替换，可使该块的 P/E 循环次数翻倍；分配 3 组 BBM 链接则可使 P/E 循环次数增至原来的 3 倍，以此类推。