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MX25U12843GBBI00

MX25U12843GBBI00
产品型号:MX25U12843GBBI00
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :128Mbit
电压-电源:1.65V-2V
规格封装:16-WLCSP,Ball Diameter 0.30mm
说明书:点击下载
其他介绍

MX25U12843G 1.8V, 128M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U12843GBBI00 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍:

通用特性

支持串行外设接口(SPI)- 模式 0 和模式 3

单电源供电

读取、擦除及编程操作的供电电压为 1.65-2.0 伏

存储结构:支持以下三种结构

134,217,728×1 位结构

67,108,864×2 位(双 I/O 模式)结构

33,554,432×4 位(四 I/O 模式)结构

协议支持:单 I/O、双 I/O 和四 I/O 协议

抗闩锁保护:在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内,可承受 100mA 电流而不发生闩锁

低电压写禁止:电压在 1.0V 至 1.4V 范围内时禁止写操作

支持 SPI 模式快速读取

最高支持 133MHz 时钟频率

支持快速读取(Fast Read)、2 线读取(2READ)、双线读取(DREAD)、4 线读取(4READ)、四线快速读取(QREAD)指令

支持双倍传输速率(DTR)模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行(XIP)

支持四线外设接口(QPI)

存储分区:支持所有扇区均为 4K 字节,或所有块均为 32K 字节 / 64K 字节

任意块均可单独擦除

编程特性:

256 字节页缓冲器

四 I/O 页编程(4PP):提升编程性能

擦除 / 编程周期:典型值为 100,000 次

数据保留期:20 年

软件特性

输入数据格式:1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护:BPO-BP3 和 T/B 状态位定义受保护区域的大小,该区域可防止编程和擦除指令操作

独立块保护:当一次性可编程(OTP)的写保护选择位(WPSEL)=1 时生效

额外的 4K 位安全一次性可编程(Secure OTP)存储区

具备独特标识符功能

出厂锁定可识别,且支持客户锁定

命令与硬件特性

命令复位

编程 / 擦除暂停止与恢复操作

电子标识

符合 JEDEC 标准:1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 指令:用于读取 1 字节器件 ID

REMS 指令:用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

硬件特性

SCLK(时钟输入引脚):串行时钟输入端

SI/SIO0(串行输入 / 双向输入输出引脚):串行数据输入端;在双 I/O 和四 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

SO/SIO1(串行输出 / 双向输入输出引脚):串行数据输出端;在双 I/O 和四 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

WP#/SIO2(写保护 / 双向输入输出引脚):硬件写保护端;在四 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

RESET#/SIO3(复位 / 双向输入输出引脚):硬件复位端;在四 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

封装类型

M2: 8-pin SOP (200mil)

M:16-SOP(300mil)

ZN: 8-WSON (6mmx5mm)

Z4:8-WSON(8x6mm,3.4x 4.3 EP)

BB:16-WLCSP,Ball Diameter 0.30mm

BJ:16-WLCSP,Ball Diameter 0.30mm,Package height 0.4mm(Max.)

BK:12-WLCSP,Ball Diameter 0.30mm

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)要求,且不含卤素

MX25U12843GBBI00产品概述

MX25U12843G 是一款容量为 128 兆位(128Mb)的串行 NOR 闪存,其内部配置为 16,777,216×8 位结构。当工作在双 I/O 模式或四 I/O 模式时,存储结构会分别变为 67,108,864 位 ×2 位或 33,554,432 位 ×4 位。

MX25U12843G 具备串行外设接口(SPI)和专用软件协议,在单 I/O 模式下,可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为:时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过片选信号(CS#)输入,可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入与数据输出;当工作在四 I/O 读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚(WP#)和复位引脚(RESET#)会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚,实现地址 / 虚拟位输入与数据输出功能。

MX25U12843G 搭载的旺宏(Macronix)专利技术 MXSMIO®(串行多 I/O),支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后,器件会自动执行编程 / 擦除算法,该算法可对指定的页或扇区 / 块地址完成编程 / 擦除操作,并进行校验。其中,编程命令的执行单位支持字节、页(256 字节)或字;擦除命令的执行单位支持 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片。

为方便用户进行接口操作,器件内置状态寄存器,用于指示芯片当前状态。可通过发送状态读取命令,借助忙标志位(WIP bit,即 Write In Progress bit)检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全特性进一步强化了器件的保护与安全功能,详细信息请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号(CS#)为高电平时,器件将保持在待机模式。

MX25U12843G 采用旺宏(Macronix)专有存储单元技术,即便经过 100,000 次(原文 “100,00” 应为笔误,结合行业常规参数修正为 “100,000”)编程与擦除循环后,仍能可靠保存存储内容。

MX25U12843GBBI00引脚图


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