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MX25U25641GZNI0G

MX25U25641GZNI0G
产品型号:MX25U25641GZNI0G
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :256Mbit
电压-电源:1.65V-2V
规格封装:8-WSON (6x5mm)
说明书:点击下载
其他介绍

MX25U25641G 1.8V, 256M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U25641GZNI0G Serial NOR Flash芯片特点

概述

额外的 8K 位安全一次性可编程(OTP)存储

支持串行外设接口(SPI)- 模式 0 和模式 3具备唯一标识符

出厂锁定可识别,且用户可锁定单电源供电操作

命令复位

读取、擦除和编程操作的电压范围为 1.65 至 2.0 伏

编程 / 擦除挂起与恢复操作

电子标识

268,435,456×1 位结构,或 134,217,728×2 位(双 I/O 模式)结构,或 67,108,864×4 位(四 I/O 模式)结构

联合电子设备工程委员会(JEDEC)1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

用于读取 1 字节器件 ID 的 RES 命令

用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID 的 REMS 命令

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

闩锁保护:在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内,可承受 100mA 电流

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

低电源电压(Vcc)写禁止:电压范围为 1.0V 至 1.4V

支持 SPI 模式下的快速读取

支持的最高时钟频率可达 133MHz

支持快速读取(Fast Read)、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持双倍传输速率(DTR)模式

快速读取操作支持可配置的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行(XIP)

支持四外设接口(QPI)

所有动态保护位(DPB)在通电或复位后默认值为 0

扇区规格:每个扇区 4K 字节;或块规格:每个块 32K 字节,或每个块 64K 字节

任何块均可单独擦除

编程特性:

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程(4PP),以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期:100,000 次

数据保留期:20 年

硬件特性

串行时钟输入(SCLK Input)

串行时钟输入端

串行数据输入 / 串行输入输出 0(SI/SIO0)

串行数据输入端,或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

串行数据输出 / 串行输入输出 1(SO/SIO1)

串行数据输出端,或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

硬件写保护 / 串行输入输出 2(WP#/SIO2)

硬件写保护端,或在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

硬件复位引脚 / 串行输入输出 3(RESET#/SIO3)

硬件复位引脚,或在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出端

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

块锁定保护

BPO-BP3 状态位和 T/B 状态位用于定义受保护区域的大小,该区域可抵御编程和擦除指令的操作

当一次性可编程(OTP)写保护选择位(WPSEL)=1 时,支持单独块保护

高级安全特性

封装(PACKAGE)

M2:8-pin SOP (200mil)

M:16-SOP (300mil)

XD:24-Ball BGA(5x5 ball array)

Z4: 8-WSON (8x6mm, 3.4 x 4.3 EP)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

BJ: 32-Ball WLCSP

所有器件均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)要求,且不含卤素。

MX25U25641GZNI0G串行NOR闪存芯片概述

MX25U25641G 是一款容量为 256 兆位(Mb)的串行 NOR 闪存,其内部结构配置为 33,554,432×8 位。当工作在双 I/O 模式或四 I/O 模式时,其结构会分别变为 134,217,728 位 ×2 位或 67,108,864 位 ×4 位。

MX25U25641G 具备串行外设接口(SPI)和软件协议,在单 I/O 模式下,可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为:时钟输入端(SCLK)、串行数据输入端(SI)和串行数据输出端(SO)。通过片选信号(CS#)输入可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出;当工作在四 I/O 读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚(WP#)和复位引脚(RESET#)会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25U25641G 搭载的 MXSMIO®(串行多 I/O)技术,支持对整个芯片进行顺序读取操作。当发送编程 / 擦除命令后,器件会执行自动编程 / 擦除算法,对指定的页、扇区或块地址进行编程 / 擦除,并进行校验。编程命令可按字节、按页(256 字节)或按字执行;擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作,该器件内置了一个状态寄存器,用于指示芯片的工作状态。通过发送状态读取命令,可借助 “写忙”(WIP)位检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件还具备增强型高级安全特性,可提升保护与安全功能,详情请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号(CS#)为高电平时,器件将进入待机模式。

MX25U25641G 采用旺宏电子(Macronix)专有的存储单元技术,即便经过 10 万次编程与擦除循环,仍能可靠地保存存储内容。

MX25U25641GZNI0G引脚图


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