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MX52LM04A11XVW

MX52LM04A11XVW
产品型号:MX52LM04A11XVW
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-25°C至+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :4Gbit
电压-电源:2.7V-3.6V
规格封装:153-BGA (11.5x13x1.0mm)
说明书:点击下载
产品介绍

4G-byte e-MMCT™ Memory MX52LM04A11 Consumer Grade

MXIC(旺宏电子)MX52LM04A11XVW e.MMC 存储器芯片特点

1. 特性

兼容 e・MMCT™ 5.1 版本。详细说明请参考 JEDEC 标准(注:JEDEC 为电子元件工业联合会,是制定半导体行业标准的权威组织)

支持 JEDEC 标准中规定的 e-MMCT™ 5.1 版本特性,包括:

打包命令(Packdcommnd,注:推测为 “Pack Command” 的拼写简化,意为打包指令)、缓存丢弃(CacheDicard,注:推测为 “Cache Discard” 的拼写简化,意为缓存清除)、关机消毒通知(SanitizePowerOffNotification)、标签识别(aaTagPatonypsontext ID,注:原文拼写可能存在偏差,暂译为标签识别码)、实时时钟(Real Time Clock)、动态设备容量(Dynamic Device Capacity)、HS200/400(注:指高速模式下 200MHz/400MHz 的传输速率规格)

不支持的特性:大扇区大小(4KB)

主机必须支持关机通知(Host must support Power Off Notification,注:原文 “suortowerOffotifcaisawstdevieobettepreparitffobeingpowerd off” 存在较多拼写偏差,根据上下文推测核心含义为 “主机需支持关机通知功能,以确保设备做好断电准备”)

e-MMC™ 5.1 的额外特性:现场固件更新(Field Firmware Update)、设备健康报告(Device Health Report)、睡眠通知(Sleep Notification)、生产状态识别(Production State Awareness)、安全写保护(Secure Write Protection)

完全向后兼容此前的多媒体存储卡(MultiMediaCard)系统规范

数据总线宽度:1 位(默认)、4 位及 8 位

MMC 接口时钟频率:0 至 200MHz(注:MMC 为 MultiMediaCard 的缩写,即多媒体存储卡接口)

MMC 接口启动频率:0 至 52MHz

工作电压范围:

VCC(主电源电压):2.7 至 3.6V

VCCQ(接口电源电压):2.7 至 3.6V / 1.7 至 1.95V

工作 / 存储温度范围:型号名称的第 14 个字符代表以下温度区间

W:-25°C 至 + 85°C(注:通常 “W” 代表宽温范围,适用于环境温度波动较大的场景)

封装形式:XV=153-BGA (11.5x13x1.0mm)

所有封装产品均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)要求,且不含卤素。

MX52LM04A11XVW e.MMC 存储器芯片概述

旺宏(Macronix)e-MMC™产品系列是一款嵌入式闪存,完全兼容 JEDEC(电子元件工业联合会)e-MMC™ 5.1 标准。它是一款托管式闪存解决方案,适用于各类电子设备,如智能手机、平板电脑、数字电视、机顶盒以及网络设备。

该 e-MMC™产品采用多芯片模块(MCM)形式,集成了旺宏(Macronix)的多层单元(MLC)NAND 闪存芯片与控制器芯片,并通过标准接口协议与主机系统进行连接。

设备概述

eMMC 存储器件可通过可配置位宽的数据总线信号完成数据传输,通信信号线定义如下:

CLK(时钟信号)

该信号每个时钟周期会传输 1 比特命令;同时所有数据线同步传输 1 比特(单倍速率 1x)或 2 比特(双倍速率 2x)数据。时钟频率可在 0 至最大额定时钟频率区间动态调整。

Data Strobe(数据选通信号)

该信号由 eMMC 器件产生,仅在 HS400 高速模式下作为输出同步信号使用,其频率与 CLK 时钟保持同步。

数据输出阶段:该信号每个周期传输 2 比特数据(双倍速率 2x),上升沿锁存 1 比特、下降沿锁存另 1 比特。

CRC 状态应答、命令应答输出场景(仅 HS400 增强选通模式启用):CRC 状态与命令应答仅在信号上升沿锁存有效,下降沿电平不做识别。

CMD(命令信号)

双向命令通道,用于器件初始化与指令交互。CMD 具备两种工作模式:初始化阶段为开漏输出,高速指令传输阶段切换为推挽输出。

指令由 eMMC 主机控制器下发至 eMMC 器件,器件通过该信号线向主机回传应答信号。

DAT0~DAT7(数据信号线 0 至 7)

八路双向数据通道,全部采用推挽驱动模式。默认同一时刻仅主机或器件单方驱动数据线;

上电 / 复位完成后,系统仅启用 DAT0 传输数据;主机控制器可配置总线位宽,切换为 4 线(DAT0~DAT3)或 8 线(DAT0~DAT7)并行传输模式。

eMMC 器件内部为 DAT1~DAT7 集成内置上拉电阻:

切换至 4 位总线模式瞬间,器件断开 DAT1、DAT2、DAT3 的内部上拉;

切换至 8 位总线模式瞬间,器件断开 DAT1~DAT7 全部内部上拉电阻。


MX52LM04A11XVW逻辑图

MX52LM04A11XVW引脚图



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