MX66UM1G45GDXI00

产品型号：MX66UM1G45GDXI00

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.65V-2V

规格封装：24-Ball BGA (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

MX66UM1G45G 1.8V 1G-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX66UM1G45GDXI00 Serial NOR Flash芯片特点

概述

・支持串行外设接口 —— 模式 0

・单电源供电操作

读取、擦除和编程操作电压：1.65 至 2.0 伏

・协议支持

单 I/O 和八 I/O

支持 DTR（双倍传输速率）模式

・支持高速率

支持的时钟频率高达

单 I/O 模式：133MHz

八 I/O 模式：200MHz

可配置 OPI 读取操作的虚拟周期数

・提供八外设接口（OPI）

・包含相等的扇区（每扇区 4K 字节）或相等的块（每块 64K 字节）

任何块均可单独擦除

・编程：

256 字节页缓冲器

八输入 / 输出页编程，以提升编程性能

・典型 100,000 次擦除 / 编程循环

・20 年数据保留期

软件特性

・输入数据格式

SPI：1 字节命令码

OPI：2 字节命令码

・高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义受保护区域的大小，以防编程和擦除指令

高级扇区保护（固定保护和密码保护）

・额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂锁定可识别，且支持客户锁定

・命令复位

・编程 / 擦除暂停和恢复操作

・电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

・支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

1.8V 1G 位 [x1/x8] CMOS 八通道闪存存储器

硬件特性

・SCLK 输入

串行时钟输入

・SIO0-SIO7

串行数据输入或串行数据输出

・DQS

数据选通信号

・RESET#

硬件复位引脚

・封装

24-Ball BGA (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX66UM1G45GDXI00 Serial NOR Flash芯片概述

MX66UM1G45G 是一款 1Gb 容量的八通道接口串行 NOR 闪存，其内部配置为 134,217,728×8 的结构。MX66UM1G45G 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作，这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）可启用对该器件的串行访问。

MX66UM1G45G 八通道闪存支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字为单位执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片为单位执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的状态。通过状态读取命令，可借助忙标志位（WIP）检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未处于运行状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX66UM1G45G 采用了旺宏电子（Macronix）专有的存储单元，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。

MX66UM1G45GDXI00 Serial NOR Flash 引脚图