MX66U1G45GXDI00

MX66U1G45G 1.8V, 1G-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66U1G45GXDI00 Serial NOR Flash芯片特性：

概述

・支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

・单电源供电操作

读、擦除和编程操作电压：1.65 至 2.0 伏

・协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

・具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

・SPI 模式下的快速读取

支持高达 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持 DTR（双倍传输速率）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

・支持性能增强模式 ——XIP（就地执行）

・提供四外设接口（QPI）

・包含相等的扇区（每扇区 4K 字节），或相等的块（每块 32K 字节），或相等的块（每块 64K 字节）

任何块均可单独擦除

・编程：

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程（4PP），以提升编程性能

・典型 100,000 次擦除 / 编程循环

・20 年数据保留期

软件特性

・输入数据格式

1 字节命令码

・高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义受保护区域的大小，以防编程和擦除指令

高级扇区保护功能

・额外的 8K 位一次性可编程（OTP）安全存储区

具备唯一标识符功能

出厂锁定可识别，且支持客户锁定

・命令复位

・编程 / 擦除暂停和恢复操作

・电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 命令获取 1 字节器件 ID

REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

・支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

・SCLK 输入

串行时钟输入

・SI/SIO0

串行数据输入，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

・SO/SIO1

串行数据输出，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

・WP#/SIO2

硬件写保护，或在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

・NC/SIO3

无连接，或在 4×I/O 读取模式下作为串行输入 / 输出

・RESET#

硬件复位引脚

・封装

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

M: 16-SOP (300mil)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX66U1G45GXDI00 Serial NOR Flash芯片概述：

MX66U1G45G 是一款 1Gb 容量的串行 NOR 闪存，其内部配置为 134,217,728×8 的结构。当工作在双 I/O 或四 I/O 模式时，结构会变为 536,870,912 位 ×2 或 268,435,456 位 ×4。MX66U1G45G 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作，这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）可启用对该器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚会变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，分别用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 RESET# 引脚会变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX66U1G45G 的 MXSMIO™（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字为单位执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片为单位执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的状态。通过状态读取命令，可借助忙标志位（WIP）检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

当器件未处于运行状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX66U1G45G 采用了旺宏电子（Macronix）专有的存储单元，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。