MX66UM2G45GXRI00

产品型号：MX66UM2G45GXRI00

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：1.65V-2V

规格封装：24-Ball BGA (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

MX66UM2G45G 1.8V 2G-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX66UM2G45GXRI00 Serial NOR Flash芯片特性：

特性

概述

・支持串行外设接口 —— 模式 0

・单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的电压为 1.65 至 2.0 伏

・协议支持

单 I/O 和八 I/O

支持 DTR（双倍传输速率）模式

・支持高速频率

支持的时钟频率最高可达

单 I/O 模式：133MHz

八 I/O 模式：133MHz

可配置八 I/O 读取操作的虚拟周期数

・具备八外设接口（OPI）

・扇区大小均为 4K 字节，或块大小均为 64K 字节

任何块均可单独擦除

・编程：

256 字节页缓冲器

八输入 / 输出页编程，以提升编程性能

・典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

・数据保留期为 20 年

・符合 JEDEC xSPI 规范

软件特性

・输入数据格式

SPI：1 字节命令代码

OPI：2 字节命令代码

・高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了可受保护以防编程和擦除指令影响的区域大小

高级扇区保护（固定保护和密码保护）

・额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具有唯一标识符

出厂锁定可识别，且用户可锁定

・命令重置

・编程 / 擦除暂停和恢复操作

・电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

・支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

・SCLK 输入

串行时钟输入

・SIO0 - SIO7

串行数据输入或串行数据输出

・DQS

数据选通信号

・RESET#

硬件复位引脚

封装

XR: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX66UM2G45GXRI00 Serial NOR Flash芯片概述：

MX66UM2G45G 是一款 2Gb 的八接口串行 NOR 闪存，内部配置为 268,435,456×8 位。MX66UM2G45G 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对该器件的串行访问。

MX66UM2G45G 八通道闪存支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页面或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页面（256 字节）或字为单位执行。擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片为单位执行。

为方便用户操作，芯片内置了状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助忙位（WIP bit）检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未处于运行状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX66UM2G45G 采用了旺宏（Macronix）专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。

MX66UM2G45GXRI00引脚图