MX25V1035FZUI

MX25V1035F 2.3V-3.6V,1M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25V1035FZUI Serial NOR Flash芯片特性：

概述

支持串行外设接口模式 0 和模式 3

1,048,576×1 位结构

或 524,288×2 位（双 I/O 模式）结构

或 262,144×4 位（四 I/O 模式）结构

每个扇区大小均等，各为 4K 字节；或每个块大小均等，各为 32K/64K 字节

- 任何块均可单独擦除

单电源供电操作

- 工作电压：读、擦除和编程操作的电压为 2.3V-3.6V

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能

高性能

- 快速读取

-1 路 I/O：108MHz，带 8 个虚拟周期

-2 路 I/O：104MHz，带 4 个虚拟周期，等效于 208MHz

-4 路 I/O：104MHz，带 2+4 个虚拟周期，等效于 416MHz

- 快速编程和擦除时间

-8/16/32/64 字节循环突发读取模式

支持性能增强模式 ——XIP（就地执行）

低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保存期

硬件特性

串行时钟（SCLK）输入

- 串行时钟输入端

SI/SIO0

串行数据输入，或在 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出，或在 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护，或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3

保持功能，可暂停器件而无需取消选择器件；或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行输入 / 输出

软件特性

输入数据格式

-1 字节命令码

高级安全特性

- 块锁定保护

BPO-BP3 状态位定义受软件保护的区域大小，防止编程和擦除指令操作

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

- 具备唯一标识符

- 出厂锁定可识别，且支持客户锁定

自动擦除和自动编程算法

通过内部算法自动对选定页面进行编程和验证，该算法会自动设定编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

状态寄存器功能

命令重置

编程 / 擦除挂起与编程 / 擦除恢复

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

-RES 命令获取 1 字节器件 ID

-REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一 ID（详情请联系当地旺宏销售）

封装

M1: 8-SOP (150mil)

ZU: 8-USON (2x3mm)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素

MX25V1035FZUI Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V1006F 是一款 CMOS 1,048,576 位串行 NOR 闪存，内部配置为 131,072×8 位。

MX25V1006F 具备串行外设接口和软件协议，可在简单的三线总线上运行。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对该器件的串行访问。

MX25V1006F 支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令以页（256 字节）为单位执行。擦除命令可对芯片、4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户接口操作，该器件内置状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件不工作且 CS# 为高电平时，它会保持在待机模式。

MX25V1006F 采用 Macronix 专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。