MX77L12850FZNI40

MX77L12850F 3V, 128M-BIT [x 1/x 2/x 4] RPMC Flash Memory

MXIC(旺宏电子)MX77L12850FZNI40 安全型 NOR 闪存芯片特性：

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏

128Mb：134,217,728×1 位结构，或 67,108,864×2 位（双通道 I/O 模式）结构，或 33,554,432×4 位（四通道 I/O 模式）结构

协议支持

单通道 I/O、双通道 I/O 和四通道 I/O

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

SPI 模式下支持快速读取

读取操作支持最高 104MHz 的快速时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

四通道使能位（QE 位）永久固定；QE=1 且四通道 I/O 模式始终启用

均等扇区（每个 4K 字节），或均等块（每个 32K 字节），或均等块（每个 64K 字节）

任何块均可单独擦除

编程：

256 字节页缓冲器

四通道输入 / 输出页编程（4PP），以提升编程性能

典型 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保留期

RPMC 特性

支持重放保护单调计数器（RPMC）

四个 32 位单调计数器

易失性 HMAC 密钥寄存器

非易失性根密钥寄存器

支持 RPMC 选项 1（支持 OP1 挂起状态）操作，详细的 RPMC 信息可参见：

https://www.intel.com/content/dam/support/us/en/documents/software/chipset-software/rpmc0_72.pdf

3V 128M 位 [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO®（串行多 I/O）RPMC 闪存

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了免受编程和擦除指令影响的区域大小

额外的 4K 位安全一次性可编程（OTP）区域

具备唯一标识符

工厂可锁定识别，客户可锁定

命令重置

编程 / 擦除暂停和恢复操作

电子识别

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID

RES 命令用于获取 1 字节设备 ID

REMS 命令用于获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输入 / 输出

SIO2

串行数据输入 / 输出

SIO3

串行数据输入 / 输出

封装：

- 8-pin SOP (200mil) 

- 8-land WSON (6x5mm) 

- 8-land WSON (8x6mm 3.4 x 4.3EP)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

MX77L12850FZNI40 Security NOR Flash概述：

MX77L12850F 是一款 128Mb 的串行 NOR 闪存，内部配置为 16,777,216×8 位结构。在双通道或四通道 I/O 模式下，其结构分别变为 67,108,864 位 ×2 或 33,554,432 位 ×4。

MX77L12850F 具备串行外设接口和软件协议，在单通道 I/O 模式下可通过简单的三线总线运行，这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。

在双通道 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四通道 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX77L12850F MXSMIO®（串行多 I/O）支持全芯片顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或全芯片执行。

为方便用户进行接口操作，器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未运行且 CS# 为高电平时，会进入待机模式。

MX77L12850F 采用了旺宏电子（Macronix）的专有存储单元，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。