MX25LM25645GXDI00

产品型号：MX25LM25645GXDI00

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：24-Ball BGA (5x5 ball array)

说明书：点击下载

其他介绍

MX25LM25645G 3V 256M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25LM25645GXDI00 Serial NOR Flash特性：

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏

268,435,456×1 位结构或 33,554,432×8 位（八通道 I/O 模式）结构

协议支持

单通道 I/O 和八通道 I/O

支持 DTR（双倍传输速率）模式

支持高频运行

支持的时钟频率最高可达

单通道 I/O 模式：133MHz

八通道 I/O 模式：133MHz

可配置八通道 I/O 读取操作的虚拟周期数

提供八通道外设接口（OPI）

均等扇区（每个 4K 字节）或均等块（每个 64K 字节）

任何块均可单独擦除

编程：

256 字节页缓冲器

八通道输入 / 输出页编程，以提升编程性能

典型 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保留期

软件特性

输入数据格式

SPI：1 字节命令代码

OPI：2 字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了免受编程和擦除指令影响的区域大小

高级扇区保护（固定保护和密码保护）

额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）区域

具备唯一标识符

工厂可锁定识别，客户可锁定

3V 256M 位 [x1/x8] CMOS 八通道闪存

命令重置

编程 / 擦除暂停和恢复操作

电子识别

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SIO0 - SIO7

串行数据输入或串行数据输出

DQS

数据选通信号

RESET#

硬件重置引脚

封装

- 24-Ball BGA (5x5 ball array)

- 16-Pin SOP

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

MX25LM25645GXDI00 Serial NOR Flash概述：

MX25LM25645G 是一款 256Mb 八通道接口串行 NOR 闪存，内部配置为 33,554,432×8 位结构。该器件具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线运行，这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。

MX25LM25645G 八通道闪存支持全芯片顺序读取操作。

在发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或全芯片执行。

为方便用户进行接口操作，器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未运行且 CS# 为高电平时，会进入待机模式。

MX25LM25645G 采用了旺宏电子（Macronix）的专有存储单元，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。

MX25LM25645GXDI00引脚图.png