MX25L51273GZ4I-08G

MX25L51273G 3V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(台湾旺宏电子)MX25L51273GZ4I-08G Serial NOR Flash芯片特点：

通用软件功能

支持串行外围接口-模式0和输入数据格式模式3

-1字节命令代码单电源操作

高级安全功能

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作--闭锁保护操作

BPO-BP3和T/B状态位定义了大小

536870912 x 1位结构

受程序保护的区域

或268435456 x 2位（双I/O模式）结构擦除指令

或134217728 x 4位（四I/O模式）结构

先进的扇区保护功能（固态和固态）

协议支持

密码保护）

-单I/O、双I/O和四I/O

额外的4K位安全OTP

从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

-具有唯一标识符

SPI模式的快速读取

-工厂锁定可识别，客户锁定-

支持高达166MHz的时钟频率能够协议命令重置

支持快速读取、2读、DREAD、4读、编程/擦除暂停和恢复操作

QREAD指令电子识别

-支持DTR（双倍传输速率）模式

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节de-

-可配置的虚拟循环数，用于快速读取副ID操作

-1字节设备ID的RES命令

支持性能增强模式-XIP

-REMS命令，用于1字节制造商ID和（就地执行）

1字节设备ID

四外设接口（QPI）可用

支持串行闪存可发现参数

默认启用四路I/O（QE位=1），不能（SFDP）模式

改变相等的4K字节扇区，或相等的32K块硬件功能

每个字节或64K字节SCLK输入

-任何块都可以单独擦除

-串行时钟输入编程：硅/硅

-256字节页面缓冲区

串行数据输入或串行数据输入/输出

-四输入/输出页面程序（4PP）增强

2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式程序性能

SO/SIO1

典型的100000次擦除/编程周期

串行数据输出或串行数据输入/输出

20年数据保留

用于2x I/O读取模式和4x I/O读取模式

二氧化硅

-4 x I/O读取模式的串行数据输入/输出

二氧化硅

-4 x I/O读取模式的串行数据输入/输出

封装规格

16-pin SOP (300mil)

8-land WSON (8x6mm 3.4 x 4.3EP)

所有设备均符合RoHS和卤素标准-自由

MX25L51273GZ4I-08G Serial NOR Flash芯片概述

MX25L51273G是512Mb位串行NOR闪存，内部配置为67108864 x 8。当它处于两个或四个I/O模式，结构变为268435456位x2或134217728位x4.MX25L51273G具有一系列外围接口和软件协议，可在简单3线总线上运行单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。

通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的Sl00引脚和SlO1引脚输入和数据输出。当它处于四输入/输出读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SlOo引脚和SIO1引脚地址/虚拟位输入和数据输出。

MX25L51273G MXSMIO®（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行，或整个芯片基础。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令来检测程序的完成状态或刮水器的停止操作高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能有关更多详细信息，请参阅第节。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

MX25L51273G采用Macronix专有的存储单元，即使在100000个编程和擦除周期。