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MX66U2G45GXRI00

MX66U2G45GXRI00
产品型号:MX66U2G45GXRI00
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :2Gbit
电压-电源:2.7V-3.6V
规格封装:24-Ball BGA (5x5 ball array)
说明书:点击下载
其他介绍

MX66U2G45G 1.8V, 2G-BIT [x 1/x 2/x 4]CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66U2G45GXRI00芯片特点:

通用

支持串行外围接口-模式0和模式3

单电源操作

-1.65至2.0伏用于读取、擦除和编程操作

协议支持

-单I/O、双I/O和四I/O

从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

SPI模式的快速读取

-支持高达166MHz的快速时钟频率

-支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令

-支持DTR(双倍传输速率)模式

-可配置的虚拟循环数,用于快速读取操作

支持性能增强模式XIP(就地执行)

四外设接口(QPI)可用

相等扇区,每个4K字节,或相等块,每个32K字节,或相同块,每个64K字节

-任何块都可以单独擦除

编程:

-256字节页面缓冲区

-四输入/输出页面程序(4PP),以提高程序性能

典型的100000次擦除/编程周期

20年数据保留

软件功能

输入数据格式

-1字节命令代码

高级安全功能

-闭锁保护

BPo-BP3和T/B状态位定义了要防止编程和擦除的区域大小

说明书

-先进的扇区保护功能

额外的8K位安全OTP

-具有唯一标识符

-工厂锁定可识别,客户可锁定

命令重置

编程/擦除暂停和恢复操作电子识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID

-1字节设备ID的RES命令

-用于1字节制造商ID和1字节设备ID的REMS命令

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

硬件功能

SCLK输入

-串行时钟输入硅/二氧化硅

-串行数据输入或串行数据输入/输出,适用于2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式

SO/SIO1

-串行数据输出或串行数据输入/输出,适用于2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式

WP#/SIO2

-4 x I/O读取模式的硬件写保护或串行数据输入/输出

NC/SIO3

-4 x I/O读取模式无连接或串行输入和输出

重置#

-硬件复位引脚封装

24-Ball BGA (5x5 ball array)

-所有设备均符合RoHS标准,不含卤素

MX66U2G45GXRI00芯片概述:

MX66U2G45G是2Gb位串行NOR闪存,内部配置为268435456 x 8。当它如果处于两个或四个I/O模式,则结构变为1073741824位x2或536870912位x4。MX66U2G45G具有串行外围接口和软件协议,允许在简单的3线总线上运行

单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。

通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SiOo引脚和SIO1引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出。当它处于四个I/O读取模式时,SI、SO、WP#和NC引脚变为SIOo、SIO1、SIO2以及用于地址/虚拟位输入和数据输出的SiO3引脚。

MX66U2G45G MXSMIO°(串行多I/O)在整个芯片上提供顺序读取操作。

使用编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行,或整个芯片基础。

为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令以通过WiPbit检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分更多细节。

当设备未运行且CS#为高时,它将进入待机模式。

Mx66U2G45G采用Macronix专有的存储单元,即使在100000个编程和擦除周期。

MX66U2G45GXRI00引脚图.png

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