KH25U3235F

KH25U3235F

1.8V, 32M-BIT [x 1/x 2/x 4]

CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)

FLASH MEMORY

Key Features

. Fast Program and Erase time

· Multi I/O Support- Single I/O, Dual I/O and Quad I/O

· Quad Peripheral Interface (QPI) Read / Program Mode

· Program Suspend/Resume & Erase Suspend/Resume

1.特点

上将

软件功能

支持串行外围接口——模式0和

输入数据格式

模式3

-1字节命令代码

33554432 x 1位结构

高级安全功能

或16777216 x 2位（双I/O模式）结构

-闭锁保护

或8388608 x 4位（四I/O模式）结构

BPo-BP3状态位定义了区域的大小

相等的扇区，每个扇区4K字节，

软件保护，防止程序和擦除

或相等的块，每个块32K字节

说明书

或每个64K字节的相等块

-额外的4k位安全OTP用于唯一标识符

-任何块都可以单独擦除

自动擦除与自动编程算法

单电源操作

-自动擦除并验证选定位置的数据

-1.65至2.0伏用于读取、擦除和编程操作-

扇区或区块

操作

在选定位置自动编程和验证数据

从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

由自动计时的内部算法生成页面

低Vcc写抑制范围为1.oV至1.4V

编程脉冲宽度（任何要编程的页面

页面应首先处于已擦除状态）

性能

状态注册功能

高性能

命令重置

-SPI模式的快速读取

程序/擦除暂停

-1 1/O:104MHz，8个虚拟周期

电子识别

-2 1/O:84MHz，具有4个虚拟周期，

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

相当于168MHz

身份证件

-4个I/O：104MHz，2+4个虚拟周期，

-1字节设备ID的RES命令

相当于416MHz

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

-QPI模式的快速读取

1字节设备ID

-4个输入/输出：84MHz，2+2个虚拟周期，

支持串行闪存可发现参数（SFDP）

相当于336MHz

模式

-4 1/O:104MHz，具有2+4个虚拟周期，

相当于416MHz

硬件功能

-快速编程时间：

.

SCLK输入

0.5ms（典型值）和3ms（最大值V（每页256字节））

-串行时钟输入

-字节编程时间：12us（典型）

硅/二氧化硅

-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式

-2 x串行数据输入或串行数据输入/输出

-快速擦除时间：

I/O读取模式和4 x I/O读取模式

-35ms（典型值）/扇区（每个扇区4K字节）；

SO/SI01

-200ms（典型值/块（每个块32K字节），

-串行数据输出或串行数据输入/输出2

-350ms（典型Vblock（每个块64K字节）

xI/O读取模式和4 x I/O读取模式

低功耗

WP#/SIO2

-低有效读取电流：

-硬件写保护或串行数据输入/输出-

-104MHz时为20mA（典型值），

设置为4 x I/O读取模式

84MHz时为15mA（典型值）

重置#/SIO3

-低有效擦除电流：

-硬件复位引脚或4 x串行输入和输出

-扇区擦除、块擦除时为18mA（典型值）

I/O读取模式

（32KB/64KB）；

包裹

芯片擦除时为20mA

-8陆地USON（4x3mm）

-低有效编程电流：20mA（典型值）

-待机电流：10uA（典型值）

-所有设备均符合RoHS标准，不含卤素

深度断电：1.5uA（典型值）

典型的100000次擦除/编程周期

20年数据保留

2.概述

KH25U3235F是32Mb位串行NOR闪存，内部配置为4194304 x 8。当它在

则结构变为16777216位x2或8388608位x4。

KH25U3235F具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上运行

而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行

数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SiO1引脚，用于地址/虚拟位-

输入和数据输出。当它处于四输入/输出读取模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和RESET#引脚变为SIO0

Ipin、SIO1引脚、SIO2引脚和SiO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。

KH25U3235F MXSMIO°（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对特定对象进行编程/擦除和验证-

将执行fied页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行，或

整个芯片基础。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令以通过WiP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能-

欲了解更多详情。

KH25u3235F采用Macronix专有的存储单元，即使在

100000个编程和擦除周期。

6.数据保护

在电源转换过程中，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或误操作-

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令se后更改-

序列已成功完成。

在下文中，有几个功能可以保护系统在VCC供电期间免受意外写入周期的影响-

启动和关闭电源或系统噪声。

上电复位，避免系统电源转换导致电源突然切换，上电复位（内部

定时器）可以保护闪光灯。

有效命令长度检查：将检查命令长度是否以字节为基础并完成

在字节边界上。

写入启用（WREN）命令：需要WREN命令来设置写入启用锁存位（WEL），然后-

使用其他命令更改数据。

深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备受到写入保护

除“从深度断电模式释放”命令（RDP）和“读取电子信号”之外的所有命令-

真命令（RES）和软复位命令。

高级安全功能：有一些保护和安全功能可以保护内容免受入侵-

恶意写入和恶意访问。

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）使用（BP3、BP2、BP1、BPO）位来保护部分内存

作为只读。保护区定义如“表2”所示。保护区面积”，保护区包括

通过设置BPo-BP3bits的值，可以更灵活地保护各种区域。

-硬件保护模式（HPM）使用WP#/SIO2来保护（BP3、BP2、BP1、BPO）位和状态

注册写保护位。

-在四I/O和QPI模式下，HPM的功能将被禁用。