KH25U1635E型号:
KH25U1635EM2I-10G
1.8V,16M-BIT[x1/x2/x4]
CMOS MXSMIO(串行多VO)
快闪存储器
主要特点
·1.65至2.0伏用于读取、擦除和编程操作
·多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O
SPI模式和QPI模式的快速读取
·额外的4k位安全OTP用于唯
1.特点
上将
软件功能
支持串行外围接口-模式0和
输入数据格式
模式3
-1字节命令代码
16777216 x 1位结构或8388608 x 2位(两个
高级安全功能
I/O读取模式)结构或4194304 x 4位(四个
-闭锁保护
I/O读取模式)结构
BPo-BP3状态位定义了区域的大小
相等扇区,每个扇区4K字节,或相等块
软件保护,防止程序和擦除
每个32K字节或等于64K字节的块
说明书
-额外的4k位安全OTP用于唯一标识符
每个
自动擦除与自动编程算法
-任何块都可以单独擦除
-自动擦除并验证选定位置的数据
单电源操作
扇区或区块
-1.65至2.0伏用于读取、擦除和编程操作-
自动编程和验证数据-
操作
通过内部算法自动选择页面-
从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护
ly乘以程序脉冲宽度(任何页面
低Vcc写抑制为1.0V至1.4V
被编程的页面应处于擦除状态
第一)
性能
状态注册功能
高性能
命令重置
程序/擦除暂停
-SPI模式的快速读取
电子识别
-1 1/O:104MHz,8个虚拟周期
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备
-2 1/O:84MHz,4个虚拟周期,等效
身份证件
至168MHz
-1字节设备ID的RES命令
-4 1/O:104MHz,6个虚拟周期,等效
-REMS命令,用于1字节制造商ID和
至416MHz
1字节设备ID
-QPI模式的快速读取
支持串行闪存可发现参数
-4个输入/输出:84MHz,4个虚拟周期,等效
(SFDP)模式
至336MHz
-4 1/O:104MHz,6个虚拟周期,等效
硬件功能
至416MHz
SCLK输入
-快速编程时间:1.2ms(典型值)和3ms(最大值)/
串行时钟输入
页(每页256字节)
硅/二氧化硅
-字节编程时间:10us(典型)
-串行数据输入或串行数据输入/输出2
-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式
xI/O读取模式和4 x I/O读取模式
-快速擦除时间:
SO/SI01
-串行数据输出或串行数据输入/输出
45ms(典型值/扇区(每个扇区4K字节);
2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式
250ms(典型值)/块(每个块32K字节):
500ms(典型值)/块(每个块64K字节);
WP#/SIO2
-硬件写保护或串行数据输入/输出-
9秒(典型值)/芯片
设置为4 x I/O读取模式
低功耗
NC/SI03
-低有效读取电流:104MHz时最大20mA,
-NC引脚或串行输入和输出,用于4 x I/O读取
84MHz时最大15mA
模式
-低有效擦除/编程电流:20mA(典型值)
包裹
-待机电流:25uA(典型值)
-8针SOP(200mil),
深度断电:2uA(典型值)
-所有设备均符合RoHS和卤素标准-
自由的
典型的100000次擦除/编程周期
20年数据保留
2.概述
KH25U1635E是16777216位串行NOR闪存,内部配置为2097152 x 8。什么时候
则结构变为8388608位x2或4194304位x4。KH25U1635E
具有串行外围接口和软件协议,可在简单的3线总线上运行
单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。
通过CS#输入启用对设备的串行访问。
当它处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SiO0引脚和SIO1引脚,用于地址/虚拟位
输入和数据输出。当处于四I/O读取模式时,SI引脚、SO引脚、WP#引脚和NC引脚变为SIO0引脚,
ISiO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。
KH25U1635E MXSMIO°(串行多I/O)在整个芯片上提供顺序读取操作。
使用编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证
将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行
以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行,或
整个芯片基础。
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取
可以发出命令以通过WiPbit检测编程或擦除操作的完成状态。
高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分
更多细节。
KH25U1635E采用Macronix专有的存储单元,即使在
100000个编程和擦除周期。