KH25U1633F

KH25U1633F1.8V, 16M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

KH25U1633FOI,KH25U1633FZUI

主要特点

•1.65V-2V用于读取、擦除和编程操作

•保持功能

•高压操作（在WP#引脚施加Vhv）

•多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O

•程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复

特点

16M-BIT[x1/x2/x4]CMOS MXSMIO®

（串行多输入/输出）

快闪存储器

上将

•支持串行外围接口——模式0和

模式3

•16777216 x 1位结构或8388608 x 2位（两个

I/O模式）结构或4194304 x 4位（四个I/O

模式）结构

•相等扇区，每个扇区4K字节，相等块

每个32K字节，或每个64K字节的相等块

-任何块都可以单独擦除

•单电源操作

-工作电压：1.65V-2.0V，用于读取、擦除和

项目运营

•从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

性能

•高性能

-快速阅读

-1个输入/输出：80MHz，8个虚拟周期

-2个I/O：80MHz，4个虚拟周期，

相当于160MHz

-4个I/O：80MHz，2+4个虚拟周期，

相当于320MHz

-快速编程和擦除时间

-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式

•低功耗

•至少100000次擦除/编程周期

•20年数据保留

软件功能

•输入数据格式

-1字节命令代码

•高级安全功能

-闭锁保护

BP0-BP3状态位定义了区域的大小

软件保护，防止程序和擦除

说明书

•额外的8K位安全OTP

-具有唯一标识符。

-工厂锁定可识别，客户可锁定

•自动擦除和自动编程算法

-自动擦除并验证选定位置的数据

扇区或区块

-自动编程和验证数据

由内部算法选择的页面

自动对程序脉冲宽度进行计时（任意

要编程的页面应该在

先擦除状态）

•状态寄存器功能

•命令重置

•编程/擦除暂停和编程/擦除

简历

•电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

身份证件

-1字节设备ID的RES命令

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

1字节设备ID

•支持串行闪存可发现参数

（SFDP）模式

•支持唯一ID（请联系当地Macronix

销售详情）

硬件功能

•SCLK输入

-串行时钟输入

•硅/二氧化硅

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

x I/O读取模式和4x I/O读取模式

•SO/SIO1

-串行数据输出或串行数据输入/输出

2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式

•WP#/SIO2

-硬件写保护或串行数据输入/

4 x I/O读取模式的输出

•保持#/SIO3

-HOLD功能，暂停设备

取消选择4的设备或串行输入和输出

x I/O读取模式

•包装

-8针TSSOP

-8-陆地USON（2x3mm）

-所有设备均符合RoHS标准，不含卤素

2.概述

KH25U1633F是16Mb位串行NOR闪存，内部配置为2097152 x 8。当它是

在四I/O模式下，结构变为4194304位x4或8388608位x2。KH25U1633F具有串行

外围接口和软件协议，允许在单I/O模式下在简单的3线总线上运行。 

三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。串行访问

通过CS#输入启用设备。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SIO0引脚和SIO1引脚

输入和数据输出。当它处于四输入/输出读取模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0

引脚、SIO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。

KH25U1633F MXSMIO®

（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证

将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32KB块（32K字节）或64K字节上执行

以块或整个芯片为基础。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分

更多细节。

KH25U1633F采用Macronix专有的存储单元，即使在

100000次编程和擦除周期

6.数据保护

在电源转换过程中，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令后更改

序列已成功完成。 

在下文中，有几个功能可以保护系统在VCC加电和断电期间免受意外写入周期或系统噪声的影响。

•上电复位：为避免系统电源转换导致电源突然切换，上电复位可能

保护Flash。

•有效命令长度检查：将检查命令长度是否以字节为基础并完成

在字节边界上。

•写入启用（WREN）命令：在之前需要WREN命令来设置写入启用锁存位（WEL）

发出其他命令以更改数据。 

•深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备受到写入保护

除了切换CS#之外的所有命令。更多详情请参见“10-24”。深度断电（DP）”。

•高级安全功能：有一些保护和安全功能可以保护内容免受

无意写入和恶意访问。

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）使用（BP3、BP2、BP1、BP0）位来保护部分内存

作为只读。保护区定义如“表2”所示。保护区面积”，保护区包括

其可以通过设置BP0-BP3比特的值来保护各种区域。

-硬件保护模式（HPM）使用WP#/SIO2来保护（BP3、BP2、BP1、BP0）位和状态

寄存器写保护（SRWD）位。如果系统进入四I/O模式，HPM的功能将被禁用。