KH25L64356

KH25L64356芯片系列介绍：

KH25L64356M1I03、KH25L64356M2I03

3V, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4]

CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)

FLASH MEMORY

Key Features

· Hold Feature

· Multi /O Support- Single I/O, Dual I/O and Quad I/O

Quad Peripheral Interface (QPI) available

. Supports clock frequencies up to 133MHz

· Program/Erase Suspend and Resume

Additional 8K-bit Secured OTP

1.特点

上将

额外的8K位安全OTP

支持串行外围接口-模式0和

-具有唯一标识符

模式3

-工厂锁定可识别，客户可锁定

·67108864 x 1位结构

自动擦除和自动编程算法

或33554432 x 2位（双I/O读取模式）结构

-自动擦除并验证选定位置的数据

或16777216 x 4位（四I/O模式）结构

部门

·2048个相等的扇区，每个扇区4K字节

-在选择时自动编程和验证数据-

-任何扇区都可以单独擦除

由内部算法自动生成的ed页面

·256个相等的块，每个块32K字节

乘以程序脉冲宽度（任何页面都可以-

-任何块都可以单独擦除

grammed应该首先使页面处于擦除状态。)

128个相等的块，每个块64K字节

状态注册功能

-任何块都可以单独擦除

.命令重置

电源操作

程序/擦除暂停

-2.65至3.6伏用于读取、擦除和编程

程序/擦除简历

活动

电子识别

从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

支持性能增强模式-XIP

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

身份证件

（就地执行）

-1字节设备ID的RES命令

四外设接口（QPI）可用

·编程：

支持串行闪存可发现参数

-256字节页面缓冲区

（SFDP）模式

-四输入/输出页面程序（4PP）增强

硬件特点

程序性能

.SCLK输入

-串行时钟输入

性能

·高性能

硅/二氧化硅

vCC=2.65至3.6V

-2的串行数据输入或串行数据输入输出

-正常读取

x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出

-50MHz

模式

-快速阅读

·SO/SIO1

-快速阅读、恐惧、阅读：

-串行数据输出或串行数据输入/输出

2 x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出

133MHz，8个虚拟周期

2读：

模式

80MHz，具有4个虚拟周期，

·WP#/SIO2

133MHz，8个虚拟周期

-硬件写保护或串行数据输入/输出-

-4读：

用于4 xI/O模式

80MHz，具有6个虚拟周期，

·HOLD#/SIO3

133MHz，10个虚拟周期

-暂停设备而不取消选择设备

-2READ的可配置虚拟循环数

或4 x I/O模式的串行数据输入/输出

4READ操作

·包装

-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式

-8针SOP（150mil）

低功耗

-8针SOP（200mil）

·典型的100000次擦除/编程周期

-所有设备均符合RoHS标准，不含卤素

20年数据保留

软件功能

.输入数据格式

-1字节命令代码

·高级安全功能

-闭锁保护

BPO-BP3和T/B状态位定义了

要防止程序和擦除的区域-

指令。

-先进的扇区保护功能（Solid Protect）

2.概述

KH25L64356是64Mb位串行NOR闪存，内部配置为8388608 x 8。当它是

在四I/O模式下结构变为16777216位x4。当它处于双I/O模式时，结构变为

33554432比特x2。KH25L64356具有串行外围接口和软件协议，允许在

当它处于单I/O模式时，它是一个简单的3线总线。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入

（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

KH25L64356，MXSMIO°（串行多I/O）闪存，在整个芯片上提供顺序读取操作

多I/O功能。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SiOo引脚和SIO1引脚，用于地址/虚拟位-

输入和数据输出。当它处于四路I/O模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚，

SIO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对特定对象进行编程/擦除和验证-

将执行fied页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

字节）为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令，通过WiPbit检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能-

欲了解更多详情。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

KH25L64356采用Macronix专有的存储单元，即使在

100000个编程和擦除周期。

6.数据保护

在电源转换过程中，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或误操作-

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令se后更改-

序列已成功完成。

在下文中，有几个功能可以保护系统在VCC期间免受意外写入周期的影响

通电和断电或系统噪声。

·有效命令长度检查：将检查命令长度是否以字节为基础并完成-

ed在字节边界上。

·写启用（WREN）命令：在之前设置写启用锁存位（WEL）需要WREN命令

其他用于更改数据的命令。

·深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备也受到保护

写入除从深度断电模式释放命令（RDP）和读取电子命令之外的所有命令

签名命令（RES）。

·高级安全功能：有一些保护和安全功能可以保护内容免受-

注意写作和恶意访问。

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）使用（TB、BP3、BP2、BP1、BPO）位来允许部分内存

保护为只读。保护区定义如“表1。保护区大小，保护区

这可以通过设置TB、BPo-BP3比特的值来保护各种区域。

-硬件保护模式（HPM）使用WP#/SIO2保护（BP3、BP2、BP1、BP0、TB）位和

SRWD位。