KH25L3236F

KH25L32356f芯片介绍：

3V, 32M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

key特点

•特殊块保护级别

•保持功能

•多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O

•自动擦除和自动编程算法

•程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复

1.特点

上将

•支持串行外围接口——模式0和

模式3

•33554432 x 1位结构或16777216 x 2位（两个

I/O读取模式）结构或8388608 x 4位

（四I/O模式）结构

•1024个相等的扇区，每个扇区4K字节

-任何扇区都可以单独擦除

•128个相等的块，每个块32K字节

-任何块都可以单独擦除

•64个相等的块，每个块64K字节

-任何块都可以单独擦除

•电源操作

-2.65~3.6伏用于读取、擦除和编程操作

•从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

性能

•高性能

VCC=2.65~3.6V

-正常读取

-50MHz

-快速阅读

-快速读取、DREAD、QREAD:133MHz，带

8个虚拟循环

-2领先优势：104MHz，4个虚拟周期，133MHz

8个虚拟循环

-4前进：104MHz，6个虚拟周期，133MHz

10个虚拟循环

-2READ的可配置虚拟循环数

4READ操作

-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式

•低功耗

•典型的100000次擦除/编程周期

•20年数据保留

软件功能

•输入数据格式

-1字节命令代码

•高级安全功能

-闭锁保护

BP0-BP3和T/B状态位定义了

要防止编程和擦除的区域

说明。

•额外的4K位保护OTP

-具有唯一标识符

-工厂锁定可识别，客户可锁定

•自动擦除和自动编程算法

-自动擦除并验证选定位置的数据

部门

-通过内部算法自动对所选页面的数据进行编程和验证，该算法会自动对编程脉冲宽度进行计时（任何页面都可以

已编程的页面应处于已擦除状态

第一。)

•状态寄存器功能

•命令重置

•程序/擦除暂停

•编程/擦除简历

•电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

身份证件

-1字节设备ID的RES命令

•支持串行闪存可发现参数

（SFDP）模式

硬件功能

•SCLK输入

-串行时钟输入

•硅/二氧化硅

-串行数据输入或串行数据输入/输出

2 x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出

模式

•SO/SIO1

-串行数据输出或串行数据输入/输出

2 x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出

模式

•WP#/SIO2

-4 x I/O模式的硬件写保护或串行数据输入/输出

•保持#/SIO3

-暂停设备而不取消选择4 x I/O模式的设备或串行数据输入/输出

•包装

-8针SOP（200mil）

-所有设备均符合RoHS标准，不含卤素

文档

图片

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实时翻译

2.概述

KH25L3236F是32Mb位串行闪存，内部配置为4194304 x 8。当它在

在四种I/O模式下，结构变为8388608位x4。当它处于双I/O模式时，结构变为

16777216比特x2。 

KH25L3236F具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线制上运行

总线，而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和

串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

KH25L3236F，MXSMIO®

（串行多I/O）闪存，在整个芯片上提供顺序读取操作

以及多I/O功能。

当它处于四输入/输出模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚

SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。 

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证

将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

字节）为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态

可以发出读取命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

当设备未运行且CS#为高时，它将进入待机模式。

KH25L3236F采用Macronix专有的存储单元，即使在

100000个编程和擦除周期。

6.数据保护

在电源转换期间，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或重新编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器

设备的架构限制了只有在成功完成特定命令序列后才能更改内存内容。 

下面，有几个功能可以保护系统在VCC期间免受意外写入周期的影响

通电和断电或系统噪声。

•有效命令长度检查：将检查命令长度是否在字节基础上，是否在字节边界上完成。

•写入启用（WREN）命令：在之前需要WREN命令来设置写入启用锁存位（WEL）

其他更改数据的命令。 

•深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备也会受到保护

写入除从深度断电模式释放命令（RDP）和读取电子命令之外的所有命令

签名命令（RES）。 

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）使用（TB、BP3、BP2、BP1、BP0）位来允许部分内存

保护为只读。保护区定义如“表1”所示。保护区面积”

保护区更灵活，可以通过设置TB、BP0-BP3比特的值来保护各种区域。 

-硬件保护模式（HPM）使用WP#/SIO2保护（BP3、BP2、BP1、BP0、TB）位和

SRWD位

额外的4K位安全OTP用于唯一标识符：提供4K位一次性程序区域进行设置

设备唯一序列号-可由工厂或系统制造商设置。 

-安全寄存器位0表示芯片是否被工厂锁定。

-通过进入4K位安全OTP模式（使用ENSO命令）对4K位安全的OTP进行编程，以及

然后通过写入EXSO命令退出4K位安全OTP模式。

-客户可以通过写入WRSCUR（写安全寄存器）来锁定客户可锁定的安全OTP

命令将客户锁定位1设置为“1”。请参考“表7。安全寄存器定义”用于安全寄存器位定义和“表2”。4K位安全OTP定义”用于地址范围定义。

注意：一旦工厂或客户锁定，就不能再更改。而在4K位安全

OTP模式，不允许阵列访问